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WST3424

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 1.2V@ 250uA 20V 65mΩ@ 4.5V,1.8A 4.4A SOT-23L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2035 SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3424

WST3424概述

    WST3424 高性能 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST3424 是一种高性能的沟槽型 N-Ch MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。它特别适用于高频点负载同步整流器的小功率开关和负载开关应用。其特点包括优良的 RDS(ON) 和栅极电荷,符合 RoHS 和绿色产品要求,且具备全功能可靠性验证。主要应用领域包括小型功率转换、负载开关以及网络 DC-DC 电源系统。

    2. 技术参数


    - 工作电压:
    - 漏源电压 (VDS):20 V
    - 栅源电压 (VGS):±12 V
    - 电流:
    - 在 25℃ 条件下连续漏极电流 (ID):4.4 A
    - 在 70℃ 条件下连续漏极电流 (ID):3.2 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):12 A
    - 功耗:
    - 在 25℃ 条件下总功耗 (PD):1.0 W
    - 温度范围:
    - 存储温度范围 (TSTG):-55 至 150℃
    - 工作结温范围 (TJ):-55 至 150℃
    - 热阻:
    - 结-壳热阻 (RθJC):75℃/W
    - 结-环热阻 (RθJA):1 至 200℃/W
    - 其他关键特性:
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):在 4.5V 栅源电压下为 50 mΩ
    - 前向跨导 (gfs):8.3 S
    - 栅电荷 (Qg):6.4 nC
    - 反向恢复时间 (trr):5.5 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):1.8 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高单元密度:先进的高密度沟槽技术,使得芯片尺寸更小,集成度更高。
    - 低栅极电荷:有效降低开关损耗,提高效率。
    - 优秀的 Cdv/dt 效应:减少开关瞬态响应时间,提高稳定性。
    - 环保材料:采用绿色器件,符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 高频点负载同步整流器
    - 小型功率开关应用
    - 负载开关
    - 使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑散热问题,避免长时间过载。
    - 选择合适的栅极驱动电路以优化开关性能。
    - 在高环境温度条件下使用时,需注意降额使用,确保不超过最大额定值。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 本产品可与其他标准 SOT-23N 封装的 MOSFET 兼容。
    - 支持和维护:
    - 厂商提供详细的资料和技术支持,包括使用指南、常见问题解答等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中发热严重。
    - 解决办法: 增加散热片或采用水冷方案,同时降低工作电流,避免超过最大额定值。
    - 问题: 长时间工作后性能下降。
    - 解决办法: 定期检查和更换设备,确保散热良好,避免过载运行。

    7. 总结和推荐


    WST3424 是一款专为高频、高效率应用设计的高性能 MOSFET,其优异的 RDS(ON) 和低栅极电荷使其在众多应用场合表现出色。无论是小型功率转换还是负载开关,它都能提供出色的性能。总体来说,该产品具有较高的可靠性和广泛的应用前景,强烈推荐在相关项目中使用。

WST3424参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 4.5V,1.8A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250uA
Id-连续漏极电流 4.4A
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 1W
通用封装 SOT-23L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST3424数据手册

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WST3424封装设计

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