处理中...

首页  >  产品百科  >  WST2011

WST2011

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1.2W 1.5V@ 250uA 20V 85mΩ@ 4.5V,2A 3.2A SOT-23-6L 贴片安装
供应商型号: 31M-WST2011
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2011

WST2011概述

    WST2011 双P沟道MOSFET 技术手册

    产品简介


    WST2011 是一款高性能的双P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的深槽技术制造,具备高密度单元结构。该产品适用于高频点对点电源同步开关、网络DC-DC电源系统以及负载开关等应用场合,尤其适合用于移动计算设备(如MB/NB/UMPC)和图形显示设备(VGA)的小功率开关转换。

    技术参数


    WST2011的主要技术参数如下:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | -20 | - | - | V |
    | VGS | 栅源电压 | ±12 | - | ±12 | V |
    | ID | 连续漏电流 | -3.6 | - | -3.2 | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | - | -12 | - | A |
    | PD | 功耗 | - | 1.7 | 1.4 | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA | 热阻结-环境 | - | 125 | - | ℃/W |
    | RθJC | 热阻结-壳体 | - | 80 | - | ℃/W |
    | RDSON | 导通电阻 | - | 80 | 85 | mΩ |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | -20 | - | - | V |
    | Qg | 总栅极电荷 | - | 3.3 | 11.3 | nC |

    产品特点和优势


    1. 先进高密度单元深槽技术:提高了开关效率和降低了导通电阻。
    2. 超低栅极电荷:有助于提高系统的整体能效。
    3. 优异的CdV/dt效应下降:保证了快速开关过程中稳定性和可靠性。
    4. 环保材料可选:符合RoHS和绿色产品要求。

    应用案例和使用建议


    - 高频点对点电源同步开关:用于笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。
    - 网络DC-DC电源系统:可用于数据中心和电信基础设施中的电源转换。
    - 负载开关:可以作为电源路径控制开关,适用于多电源管理场合。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,避免超过最大结温限制。
    - 为确保最佳性能,在设计电路时需充分考虑电路布局及走线,减少寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    WST2011封装形式为SOT-23-6L,易于与其他电子元器件集成使用。Winsok提供详细的技术支持文档和技术咨询,帮助客户解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度范围
    - 解决方案:查阅技术手册中关于工作温度范围和存储温度范围的描述,确保使用环境在规范范围内。

    2. 问题:过热保护
    - 解决方案:合理布置散热片,必要时增加风扇或其他冷却措施,确保温度不超过最大允许值。

    3. 问题:输出不稳定
    - 解决方案:检查电路板设计是否符合要求,特别注意电容和电阻的参数选择,以确保信号完整性。

    总结和推荐


    WST2011双P沟道MOSFET凭借其高效能和广泛的应用场景,是电子设备电源管理和信号控制的理想选择。特别是在需要高可靠性的应用环境中,其优越的特性使其成为不二之选。强烈推荐在设计便携式计算设备和工业电源管理系统时使用此产品。

WST2011参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 1.2W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 4.5V,2A
配置 -
Id-连续漏极电流 3.2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250uA
通用封装 SOT-23-6L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST2011数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST2011 WST2011数据手册

WST2011封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.4588
50+ ¥ 1.1585
150+ ¥ 1.0255
500+ ¥ 0.8686
3000+ ¥ 0.7495
6000+ ¥ 0.7075
库存: 7833
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.29
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504