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WSG02N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 18W 4V@ 250uA 200V 410mΩ@ 10V,2A 2A SOT-223-3L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2080 SOT-223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSG02N20

WSG02N20概述

    WSG02N20 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSG02N20 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高单元密度,适用于小功率开关和负载开关应用。该产品符合RoHS和绿色产品要求,并通过全面的功能可靠性测试。

    2. 技术参数


    以下是WSG02N20的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):200 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID@Tc=25℃):2.0 A(VGS @ 10V)
    - 连续漏电流 (ID@Tc=70℃):1.5 A(VGS @ 10V)
    - 脉冲漏电流 (IDM):10 A
    - 总耗散功率 (PD@TA=25℃):18 W
    - 热阻 (RθJA):1-70 °C/W
    - 热阻 (RθJC):1-30 °C/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=10V,ID=2A: 310 mΩ
    - VGS=6V,ID=1A: 314 mΩ
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 2.0-4.0 V
    - 前向电压 (VSD):1.15 V
    - 反向恢复时间 (trr):38 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):56 nC

    3. 产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:提高性能和可靠性。
    - 超低栅极电荷:降低功耗,提高效率。
    - 优秀的Cdv/dt效应下降:提高抗干扰能力。
    - 绿色环保产品:符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    WSG02N20 主要应用于TV逆变器的电源管理。具体应用场景包括但不限于小功率开关和负载开关应用。根据手册中的数据图表,建议在实际应用中应注意控制温度,避免过高的工作温度导致性能下降。

    5. 兼容性和支持


    WSG02N20 采用SOT-223封装,与其他标准SOT-223封装的器件兼容。Winsok提供详细的技术支持文档和售后服务,确保用户在使用过程中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电阻 (Rg)?
    - 解答:参考手册中的电气特性部分,选择合适的Rg值以优化开关时间和损耗。
    2. 问题:如何处理温度过高导致的性能下降?
    - 解答:确保散热设计合理,避免长时间工作在高温环境下。
    3. 问题:如何减少栅极电荷的影响?
    - 解答:通过优化驱动电路设计来减少栅极电荷的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WSG02N20是一款高性能、低损耗、绿色环保的N沟道MOSFET,非常适合于各种小功率开关和负载开关应用。其优秀的技术规格和广泛的应用场景使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐给需要高效、可靠电力管理解决方案的用户。

WSG02N20参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 18W
Rds(On)-漏源导通电阻 410mΩ@ 10V,2A
通用封装 SOT-223-3L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSG02N20数据手册

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WSG02N20封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 2.0411
30+ ¥ 1.8217
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1000+ ¥ 1.314
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