处理中...

首页  >  产品百科  >  WST3400

WST3400

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 12V 1.2V@ 250uA 8.4NC 2个N沟道 30V 28mΩ@ 4.5V,5A 7A 520pF@15V SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 31M-WST3400
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3400

WST3400概述


    产品简介


    WST3400是一款高性能的沟槽式N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能够为小功率开关和负载开关应用提供出色的低导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。这款MOSFET符合RoHS标准和绿色环保产品要求,并通过了全面的功能可靠性测试。其主要应用包括高频率点对点同步电源转换、移动设备的小功率开关、网络直流-直流电源系统以及负载开关。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大值为30V
    - 栅源电压 (VGS):±12V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 当环境温度为25℃时:8.5A
    - 当环境温度为70℃时:6.9A
    - 脉冲漏电流 (IDM):最大值为25A
    - 总功耗 (PD):
    - 当环境温度为25℃时:1.32W
    - 当环境温度为70℃时:0.84W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C至150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C至150°C
    - 热阻 (RθJA):
    - 在脉冲状态(t ≤10s)下:最高95°C/W
    - 在连续状态下:最高125°C/W
    - 热阻 (RθJC):80°C/W
    - 栅极电阻 (Rg):在VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz条件下的值为2.5Ω至5Ω
    - 栅极电荷 (Qg):最大值为8.4nC
    - 输入电容 (Ciss):在VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz条件下的值为572pF至800pF
    - 反向恢复时间 (trr):最大值为19ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):最大值为1.04nC

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:确保高效率和低损耗。
    - 超低栅极电荷:减少开关过程中的能量损失。
    - 优异的Cdv/dt效果下降:提高稳定性和可靠性。
    - 绿色环保设备:满足RoHS标准。
    这些特点使WST3400成为众多小功率开关和负载开关应用的理想选择,特别是在需要高可靠性和高性能的场合。

    应用案例和使用建议


    WST3400适用于多种应用,如高频率点对点同步电源转换、移动设备的小功率开关、网络直流-直流电源系统以及负载开关。对于这类应用,用户应注意以下几点:
    - 保持适当的散热:由于其较高的热阻,使用过程中应确保良好的散热条件,以避免因过热而导致的性能下降。
    - 考虑环境温度的影响:在高温环境下,其连续漏电流会有所下降,需注意调整工作电流以避免过载。
    - 合理设计电路:在设计应用电路时,应充分考虑其电气特性,特别是电容和栅极电荷的影响,以优化整体性能。

    兼容性和支持


    WST3400与大多数常见的SOT-23-3L封装设备兼容。Winsok提供了详尽的技术支持文档和客户服务,帮助客户解决应用过程中可能遇到的问题。此外,Winsok还提供了全面的测试报告和验证数据,以确保产品的可靠性和稳定性。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温环境下的表现如何?
    - 解决方案:在环境温度为70℃时,连续漏电流会有所下降。建议根据实际工作条件适当降低工作电流。

    - 问题2:如何避免产品过热?
    - 解决方案:确保良好的散热条件,如采用适当的散热片或冷却风扇,以保证产品的正常运行。

    总结和推荐


    WST3400是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET,特别适合于小功率开关和负载开关应用。其优异的电气特性和可靠的性能使其在市场上具备较强的竞争力。尽管其热阻相对较高,但只要采取适当的散热措施,其性能和可靠性可以得到保证。因此,我们强烈推荐将WST3400用于上述应用场景。

WST3400参数

参数
最大功率耗散 1W
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250uA
栅极电荷 8.4NC
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 4.5V,5A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 520pF@15V
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WST3400数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3400 WST3400数据手册

WST3400封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3709
50+ ¥ 0.3054
150+ ¥ 0.2726
500+ ¥ 0.248
3000+ ¥ 0.2283
6000+ ¥ 0.2182
库存: 2758
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 1.85
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504