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WSR200N08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 345W(Tc) 4V@ 250uA 80V 3.5mΩ@ 10V,100A 200A TO-220-3L
供应商型号: 14M-WST2240 TO-220-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR200N08

WSR200N08概述

    WSR200N08 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSR200N08 是一款高性能的沟槽型 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为同步降压转换器应用而设计。该产品具有极高的单元密度,能够提供优异的 RDS(on)(导通电阻)和栅极电荷,从而实现高效的电力管理。WSR200N08 符合 RoHS 和绿色产品要求,通过了 100% 雪崩能量(EAS)测试,并经过全面的功能可靠性验证。

    技术参数


    - VDS (Drain-Source 电压):80 V
    - VGS (Gate-Source 电压):±25 V
    - ID@TC=25℃ (连续漏电流):200 A
    - ID@TC=100℃ (连续漏电流):144 A
    - IDM (脉冲漏电流):790 A
    - EAS (雪崩能量):1496 mJ
    - IAS (雪崩电流):200 A
    - PD@TC=25℃ (总功率耗散):345 W
    - PD@TC=100℃ (总功率耗散):173 W
    - TSTG (存储温度范围):-55 至 175 ℃
    - TJ (工作结温范围):175 ℃
    - RθJA (热阻 - 结到环境):1 - 62.5 ℃/W
    - RθJC (热阻 - 结到外壳):0.43 ℃/W
    - BVDSS (漏源击穿电压):80 V
    - △BVDSS/△TJ (击穿电压温度系数):0.096 V/℃
    - RDS(ON) (静态导通电阻):3.5 mΩ
    - VGS(th) (栅阈电压):2.0 - 4.0 V
    - △VGS(th) (栅阈电压温度系数):-5.5 mV/℃
    - IDSS (漏源漏电流):1 μA (TJ=25℃)
    - IGSS (栅源漏电流):±100 nA
    - Rg (栅电阻):3.2 Ω
    - Qg (总栅极电荷):197 nC
    - Qgs (栅源电荷):31 nC
    - Qgd (栅漏电荷):75 nC
    - EAS (单脉冲雪崩能量):160 mJ

    产品特点和优势


    WSR200N08 具有多项显著特点和优势:
    - 先进的高密度沟槽技术:提升了产品的整体性能。
    - 超低栅极电荷:降低了开关损耗,提高了效率。
    - 出色的 dv/dt 效应下降:确保了更好的开关特性。
    - 100% EAS 保证:确保了产品的可靠性和稳定性。
    - 绿色设备可选:符合环保标准。
    这些特点使得 WSR200N08 在电力管理和转换应用中表现出色,具备较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    WSR200N08 主要应用于电力管理、逆变系统以及开关应用中。以下是几个实际应用场景和使用建议:
    - 电源管理:在逆变器系统中作为开关器件使用,可以有效降低系统能耗。
    - 电力转换:在同步降压转换器中作为关键元件,提高转换效率。
    - 高效能电路设计:利用其超低栅极电荷和高密度技术,优化电路设计,减少能耗。
    使用时,需要注意以下几点:
    - 确保散热措施得当,以避免因过热导致的损坏。
    - 注意电源输入和输出端的滤波,以减少纹波。

    兼容性和支持


    WSR200N08 与现有的大多数电子元器件兼容,可以方便地集成到各种应用中。厂商提供了详细的技术支持和维护服务,用户可以通过厂商的官方渠道获得技术支持和产品维护信息。

    常见问题与解决方案


    在使用过程中,用户可能会遇到以下常见问题及其解决方案:
    - 问题一:设备过热。
    - 解决方案:增加散热片,优化散热路径。
    - 问题二:电源纹波过大。
    - 解决方案:在电源输入和输出端增加合适的滤波电容。
    - 问题三:设备损坏。
    - 解决方案:确认输入电压和电流不超过额定值,并采取适当的保护措施。

    总结和推荐


    WSR200N08 N-Channel MOSFET 以其出色的性能和可靠性,在电力管理和转换应用中表现优异。其先进的技术特性使其成为市场上极具竞争力的产品。如果您的应用需要高效、可靠的电力管理解决方案,WSR200N08 是一个值得考虑的选择。建议在使用前仔细阅读并遵循技术手册中的指导,确保最佳性能和长期稳定性。

WSR200N08参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 345W(Tc)
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 10V,100A
FET类型 -
Id-连续漏极电流 200A
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220-3L

WSR200N08数据手册

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WSR200N08封装设计

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