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WSF3040

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 37.5W(Tc) 2.5V@ 250uA 30V 12mΩ@ 10V,30A 43A TO-252-2L
供应商型号: WSF3040 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF3040

WSF3040概述

    WSF3040 N-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSF3040 是一款高性能的沟槽式N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有极高的单元密度。这款电子元器件主要用于高频点对点负载同步降压转换器,适用于移动笔记本电脑(MB/NB)、超移动个人计算机(UMPC)和视频图形阵列(VGA)等设备的网络DC-DC电源系统。同时,它也可用作负载开关。

    技术参数


    - 最大耐压能力
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 连续漏电流
    - 环境温度为25℃时:43A
    - 环境温度为100℃时:30A
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\): 112A
    - 功率耗散
    - 环境温度为25℃时:37.5W(瞬态条件)
    - 环境温度为25℃时:2W(静态条件)
    - 热阻
    - 结至环境的热阻 \(R{\theta JA}\): 62°C/W
    - 结至外壳的热阻 \(R{\theta JC}\): 4°C/W
    - 其他关键参数
    - 导通电阻 \(R{DS(ON)}\): 在 \(V{GS} = 10V\) 时为10mΩ(典型值)
    - 峰值雪崩能量 \(E{AS}\): 53mJ
    - 门电容 \(Qg\): 9.8nC(典型值)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 940pF(典型值)


    产品特点和优势


    WSF3040 具有以下显著特点和优势:
    - 高单元密度的先进沟槽技术,确保了低导通电阻和低栅极电荷。
    - 优秀的雪崩耐受能力,100% EAS保证。
    - 极低的栅极电荷,有助于提高开关效率。
    - 符合RoHS标准,环保无害。

    应用案例和使用建议


    WSF3040 主要应用于高频率同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等场合。实际应用中,为了达到最佳效果,需要考虑以下几点:
    - 散热管理:由于较高功率消耗,必须确保良好的散热措施以防止过热。
    - 电路布局:设计时需注意 PCB 布局,减少寄生电感和电容的影响,从而提升整体效率。

    兼容性和支持


    - WSF3040 可与其他主流的电子元器件兼容,适用于广泛的工业和消费电子产品中。
    - 赢速科提供详细的技术文档和客户支持,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何避免过温损坏?
    - 解决方案:确保散热片安装得当,或采用外加风扇进行强制散热。

    - 问题二:如何优化电路效率?
    - 解决方案:通过减小栅极电阻和优化电路布局来减少损耗,提高整体效率。

    总结和推荐


    综上所述,WSF3040 N-Ch MOSFET 是一款非常适合高频率应用的高性能电子元器件,尤其适合移动设备、服务器和工业控制等领域。其卓越的性能和可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在相关项目中选用该产品。

WSF3040参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 43A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,30A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
最大功率耗散 37.5W(Tc)
栅极电荷 -
通用封装 TO-252-2L
包装方式 卷带包装

WSF3040数据手册

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WSF3040封装设计

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