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WSD4023DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 5.5nC@ 4.5V 16mΩ@ 10V,12A DFN5X6-8L
供应商型号: 14M-WSD4023DN56 DFN5X6-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD4023DN56

WSD4023DN56概述

    WSD4023DN56 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSD4023DN56 是一款高性能的 N-通道和 P-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率点对点同步降压转换器、网络直流电源系统和冷阴极荧光灯(CCFL)背光逆变器等应用。该器件采用了先进的深沟槽技术,具有超低栅极电荷、出色的反向传输电容下降效果以及 100% 的单脉冲雪崩能量保证。此外,它还符合 RoHS 和绿色产品要求。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压(VDS):N-Ch: 40V,P-Ch: -40V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):N-Ch: 32A @ TC=25℃, 21A @ TC=100℃;P-Ch: -22A @ TC=25℃, -17A @ TC=100℃
    - 脉冲漏极电流(IDM):N-Ch: 47A, P-Ch: -41A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):N-Ch: 29mJ, P-Ch: 67mJ
    - 雪崩电流(IAS):N-Ch: 17.9A, P-Ch: -27.3A
    - 总功耗(PD):N-Ch: 25W, P-Ch: 31.3W
    - 储存温度范围(TSTG):-55至150℃
    - 工作结温范围(TJ):-55至150℃
    - 热阻
    - 热阻(Junction-Ambient, RθJA):1 至 62 ℃/W
    - 热阻(Junction-Case, RθJC):1 至 5 ℃/W
    - 静态参数
    - N-Ch: RDS(ON) = 16mΩ (40V),RDS(ON) = 30mΩ (-40V)
    - P-Ch: RDS(ON) = 46mΩ (-40V),RDS(ON) = 62mΩ (-40V)

    3. 产品特点和优势


    - 高性能深沟槽技术:提供卓越的 RDS(ON) 和栅极电荷,适合大多数同步降压转换器应用。
    - 超低栅极电荷:降低开关损耗,提高效率。
    - 优秀的 CdV/dt 效果下降:减少电磁干扰(EMI)。
    - 100% 雪崩能量保证:确保长期可靠运行。
    - 绿色环保设备:符合 RoHS 和绿色产品标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高频率点对点同步降压转换器:适用于笔记本电脑、台式机和其他便携式电子设备的电源管理。
    - 网络直流电源系统:用于电信设备、数据中心等需要高可靠性的场合。
    - 冷阴极荧光灯背光逆变器:为 LCD 显示器和电视提供稳定的背光源。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,应选择合适的栅极驱动器以确保快速开关,从而减少开关损耗。
    - 确保散热设计良好,避免因过热导致的可靠性问题。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品具有广泛的兼容性,适用于多种高频和高密度电路设计。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:长时间使用后出现发热问题。
    - 解决方法:改善散热设计,如增加散热片或使用散热膏。
    - 问题 2:在高频应用中出现 EMI 干扰。
    - 解决方法:优化 PCB 布局,增加屏蔽措施,并选择合适的栅极电阻值。
    - 问题 3:出现短路现象。
    - 解决方法:检查电路连接,确保正确的接线方式和良好的绝缘。

    7. 总结和推荐


    总结:
    WSD4023DN56 是一款高性能的 N-通道和 P-通道 MOSFET,具备卓越的 RDS(ON) 和栅极电荷特性,适用于高频率应用场合。其先进技术和环保特性使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐:
    鉴于其出色的功能和广泛应用领域,强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的项目中使用 WSD4023DN56。同时,确保合理的设计和充分的测试,以充分发挥其潜力。

WSD4023DN56参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 5.5nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 10V,12A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD4023DN56数据手册

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WSD4023DN56封装设计

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150+ ¥ 1.5182
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5000+ ¥ 1.0951
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