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WST3401

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 1.2V@ 250uA 30V 52mΩ@ 10V,3A 5.5A SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 31M-WST3401
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3401

WST3401概述


    产品简介


    WST3401 P-Ch MOSFET 是一款高频率同步降压转换器用P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于移动电脑(MB/NB)、UMPC、VGA等设备的电源管理系统。该产品特别适用于高频点对点负载开关及DC-DC电源系统,通过采用先进的高密度沟槽技术,实现了极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Gate Charge),确保了高效的电源转换效率。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): -30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC=25°C时: -6.0 A (VGS @ -10V)
    - TC=70°C时: -4.9 A (VGS @ -10V)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -17 A
    - 最大总功耗 (PD):
    - TA=25°C时: 1.32 W
    - TA=70°C时: 0.84 W
    - 存储温度范围 (TSTG): -55至150°C
    - 工作结温范围 (TJ): -55至150°C
    - 热阻参数
    - 结-环境热阻 (RθJA): 125°C/W (标准) / 95°C/W (t≤10s)
    - 结-外壳热阻 (RθJC): 80°C/W
    - 其他特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - TC=25°C时: 44 mΩ (VGS=-10V, ID=-3A)
    - TC=25°C时: 52 mΩ (VGS=-10V, ID=-3A)
    - 栅阈电压 (VGS(th)): -0.6 V ~ -1.2 V
    - 栅漏电 (IGSS): ±100 nA (VGS=±12V, VDS=0V)

    产品特点和优势


    WST3401 P-Ch MOSFET 的主要优势包括:
    - 高密度沟槽技术:确保极低的导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Gate Charge),提高工作效率。
    - 低栅极电荷:有助于降低驱动功率和提高开关速度。
    - 优秀的CdV/dt效应下降:减少关断时的瞬态损耗。
    - 绿色设备:符合RoHS和绿色产品要求,具有可靠的功能性。
    这些特性使该MOSFET在多种应用场景中表现出色,尤其是在需要高效能的小功率开关和负载开关场合。

    应用案例和使用建议


    WST3401 P-Ch MOSFET 可广泛应用于:
    - 高频点对点负载开关:适用于移动电脑、UMPC和VGA等设备的电源管理。
    - 网络化DC-DC电源系统:提供高效稳定的电源输出。
    - 高密度直流转换器:适用于各种需要高效率、低损耗的场合。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑散热设计,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 在选择驱动电路时,尽量选用较低的栅极电阻,以减小开关损耗。

    兼容性和支持


    WST3401 P-Ch MOSFET 支持主流的封装标准(如SOT-23-3L),易于集成到现有设计中。Winsok公司提供了详尽的技术文档和在线支持,帮助用户快速解决问题并优化应用效果。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开关过程中出现过高的热应力。
    解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或使用更大功率等级的型号。
    问题2: 栅极电压不稳定。
    解决方案: 检查电路连接,确保栅极电容和驱动电阻的正确设置。
    问题3: 开关速度较慢。
    解决方案: 减少栅极电容,优化驱动电路的设计。

    总结和推荐


    WST3401 P-Ch MOSFET 是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,特别适合用于高频点对点负载开关和DC-DC电源系统。它具备出色的导通电阻和低栅极电荷特性,能够有效提升系统的整体效率。总体而言,这款产品是一款值得推荐的选择。

WST3401参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 5.5A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 10V,3A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250uA
最大功率耗散 1W
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST3401数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3401 WST3401数据手册

WST3401封装设计

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