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WSF20N20G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WSF20N20G TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF20N20G

WSF20N20G概述

    WSF20N20G N-Channel Enhanced VDMOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSF20N20G 是一款N沟道增强型VDMOSFET(垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管)。 它采用先进的高密度沟槽技术制造,具有出色的开关性能和较高的雪崩能量承受能力。这种器件适用于各种功率转换电路,在系统的小型化和提高效率方面具有明显的优势。WSF20N20G 主要应用于不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源击穿电压 | 0 | - | 200 | V |
    | VGS | 栅源电压 | -20 | - | +20 | V |
    | ID@TC=25℃ | 漏极连续电流,栅源电压10V 18 | - | A |
    | ID@TC=100℃ | 漏极连续电流,栅源电压10V 10 | - | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 - | 72 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 250 | - | - | mJ |
    | AAS | 雪崩电流 | - | - | 15 | A |
    | PD@TC=25℃ | 总功率耗散 104 | - | W |
    | RθJA | 热阻,结到环境 - | 60 | ℃/W |
    | RθJC | 热阻,结到外壳 - | 1.2 | ℃/W |
    | RDS(on) | 导通电阻 0.12 | 0.16 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    - 高密度沟槽技术: 通过减少导通损耗,提高了开关性能并增强了雪崩能量承受能力。
    - 低栅极电荷: 降低了栅极驱动需求,减少了开关损耗。
    - 出色的Cdv/dt效果下降: 改善了瞬态响应。
    - 环保设计: 可提供绿色产品版本。
    这些特点使WSF20N20G成为一种高效、可靠的功率管理器件,适用于各种需要高性能开关的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)电路中。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下工作时,应注意散热措施,以确保器件正常运行。
    - 选择合适的外部电阻和电容来优化开关时间,从而减少损耗。
    - 在设计电路时,应考虑雪崩电流和单脉冲雪崩能量的影响,以避免过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    WSF20N20G 是一款标准的TO-252封装器件,可以方便地集成到现有的电路板设计中。Winsok公司提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助客户顺利进行产品应用和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致热失控。
    - 解决方案: 适当增加散热片或使用热管理方案,确保热阻RθJA满足要求。
    - 问题: 高温下性能下降。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,并选择合适的外部电阻和电容。
    - 问题: 过压损坏。
    - 解决方案: 在电路中加入保护电路,如齐纳二极管,以限制过压。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WSF20N20G 是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型VDMOSFET,特别适合于需要高效率和紧凑设计的应用场合。其卓越的开关性能和较低的导通电阻使其在UPS和PFC等应用中表现出色。鉴于其优异的表现和广泛的适用范围,我们强烈推荐该产品给需要高性能开关器件的用户。

WSF20N20G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252-2

WSF20N20G数据手册

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WSF20N20G封装设计

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