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WSD100N06GDN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 58nC@ 10V 3mΩ@ 10V,20A 100A DFN5X6-8L
供应商型号: WSD100N06GDN56 DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD100N06GDN56

WSD100N06GDN56概述

    WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSD100N06GDN56 是一款采用 SGT(超薄栅极)技术制造的 N 沟道 MOSFET。它适用于同步降压转换器等应用,提供了卓越的 RDS(on)(导通电阻)和栅极电荷特性。该产品符合 RoHS 和绿色产品标准,且 100% 经过UIS + Rg 测试,保证了可靠性和坚固性。

    2. 技术参数


    - 最大额定电压:V(BR)DSS(击穿电压):60V
    - 栅源电压:VGS:±20V
    - 连续漏极电流:ID:100A
    - 脉冲漏极电流:IDM:150A
    - 最大功耗:PD:240W(TC=25°C)
    - 静态条件下的导通电阻:RDS(on):3.0mΩ(VGS = 10V,ID = 20A)

    3. 产品特点和优势


    - 高密度单元结构:提供优异的 RDS(on) 和栅极电荷,非常适合用于同步降压转换器。
    - 可靠性高:100% UIS + Rg 测试通过,确保了产品的可靠性和坚固性。
    - 低功耗:导通电阻低至 3.0mΩ,减少功耗。
    - 快速开关特性:快速的开关时间和低电荷,提高系统效率。
    - 环保材料:符合 RoHS 标准,采用无铅和绿色材料。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于二次侧同步整流、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。
    - 使用建议:在设计同步降压转换器时,应选择合适的栅极电阻(Rg),以确保开关速度和功耗之间的平衡。此外,考虑到温升问题,建议在高功率应用场景下增加散热措施。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSD100N06GDN56 可以与其他电子元器件和设备轻松集成,确保了良好的互操作性。
    - 支持:Winsok 提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热。
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时添加散热片或风扇以降低温度。
    - 问题2:开关频率不正常。
    解决方案:检查电路连接是否正确,尤其是栅极电阻(Rg)的阻值。
    - 问题3:导通电阻异常增大。
    解决方案:确认 VGS 是否处于合适的电压范围内,确保驱动电路工作正常。

    7. 总结和推荐


    WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFET 以其卓越的性能、可靠的品质和广泛的适用性在市场上具有很强的竞争力。它适合应用于多种电源管理场合,特别适合同步降压转换器。强烈推荐该产品用于需要高性能、高可靠性的电源管理设计。
    总之,WSD100N06GDN56 N-Ch MOSFET 在多个关键指标上表现出色,是一款值得信赖的电子元器件。

WSD100N06GDN56参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 10V,20A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 58nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD100N06GDN56数据手册

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WSD100N06GDN56封装设计

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