处理中...

首页  >  产品百科  >  C3M0280090J-TR

C3M0280090J-TR

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: WOLFSPEED
产品描述: 9.5nC@ 15 V 50W(Tc) 150pF@600V 1 360mΩ@ 7.5A,15V 11A 900V 3.5V@1.2mA 18V,8V 独立式 1个N沟道 TO-263-7 贴片安装
供应商型号: C3M0280090J-TRTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
WOLFSPEED 碳化硅场效应管 C3M0280090J-TR

C3M0280090J-TR概述

    文章标题:Wolfspeed C3M0280090J Silicon Carbide MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    Wolfspeed C3M0280090J 硅碳化物(SiC)MOSFET 是一种高性能功率开关元件,采用了新型的碳化硅技术。它属于N沟道增强型器件,主要用于各种电力转换和控制场合。其广泛应用于可再生能源系统、照明、高压直流/直流转换器、电信电源供应以及感应加热等领域。

    二、技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):900V
    - 最大栅源电压 (VGS(max)):±19V(瞬态)
    - 静态操作栅源电压 (VGS op):-4/15V
    - 连续漏电流 (ID):11A (VGS = 15V, TC = 25°C, TJ ≤ 150°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):22A (Tjmax 限制下)
    - 功耗 (PD):49W (TC = 25°C, TJ = 150°C)
    - 工作结温和存储温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 栅源电容 (Ciss):最大204pF (VGS = 0V, VDS = 600V, f = 1MHz)

    三、产品特点和优势


    C3M0280090J 具有以下显著特点和优势:
    - 高耐压能力及低导通电阻(RDS(on))。
    - 快速开关性能,低电容有助于减少开关损耗。
    - 新型低阻抗封装设计,具备驱动源。
    - 快速固有二极管,具有较低的反向恢复电荷(Qrr)。
    - 无卤素,符合RoHS标准。
    - 引脚间爬电距离大(~7mm)。
    这些特点使得该MOSFET能够显著提高系统的效率,减少冷却需求,增加功率密度,并提高系统的工作频率。

    四、应用案例和使用建议


    该器件可以用于多种应用场合,如太阳能逆变器、电动汽车充电站、通信电源等。在实际使用时,根据不同的应用要求选择合适的外部栅极电阻(RG(ext)),并确保电路的散热良好以维持良好的性能。例如,在使用该MOSFET进行高功率应用时,可以考虑使用较大的散热器或强制风冷方式来降低热效应的影响。

    五、兼容性和支持


    Wolfspeed提供相关参考设计和评估板,便于用户进行产品测试和评估。同时,制造商也提供了详细的使用指南和技术支持,帮助用户更好地理解和使用这一产品。

    六、常见问题与解决方案


    在使用过程中,可能会遇到一些常见的问题,比如散热不足、电压超限等。针对这些问题,用户可以通过增加散热措施、合理选择工作条件来避免。此外,详细的技术手册提供了具体的操作指导和故障排除方法,以确保产品的最佳性能和稳定性。

    七、总结和推荐


    总体而言,Wolfspeed C3M0280090J 硅碳化物MOSFET凭借其出色的性能、高可靠性和宽广的应用范围,成为许多电力电子应用的理想选择。无论是对于需要高效能、高可靠性应用的工业用户还是寻求创新解决方案的研发团队,这一产品都是值得推荐的。在选择使用前,建议详细阅读其技术手册,并咨询制造商获取更深入的支持和服务。

C3M0280090J-TR参数

参数
击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
Idss-饱和漏极电流 -
配置 独立式
最大功率耗散 50W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 9.5nC@ 15 V
最大功率 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1.2mA
Vgs-栅源极电压 18V,8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@600V
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 7.5A,15V
通用封装 TO-263-7
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

C3M0280090J-TR厂商介绍

Wolfspeed是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的研发和生产。公司主营产品包括:

1. 碳化硅(SiC):包括SiC功率器件、SiC MOSFETs、SiC二极管等,广泛应用于电动汽车、可再生能源、工业电源等领域。

2. 氮化镓(GaN):包括GaN功率器件、GaN射频器件等,应用于5G通信、**、**通信等领域。

3. 硅(Si):包括硅功率器件、硅MOSFETs等,应用于消费电子、工业控制等领域。

Wolfspeed的优势在于:

1. 技术领先:拥有全球领先的SiC和GaN技术,产品性能卓越。

2. 品质可靠:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。

3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

4. 持续创新:持续投入研发,推动SiC和GaN技术的创新和应用。

C3M0280090J-TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WOLFSPEED 碳化硅场效应管 WOLFSPEED C3M0280090J-TR C3M0280090J-TR数据手册

C3M0280090J-TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ $ 4.277 ¥ 36.1407
库存: 6400
起订量: 800 增量: 1
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 28912.56
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
ADP360120W3 ¥ 28420.0178
BSM180D12P3C007 ¥ 3287.9181
BSM300D12P2E001 ¥ 4093.429
C2M0025120D ¥ 257.301
C2M0080120D ¥ 83.6842
C2M1000170D ¥ 57.7242
C2M1000170J ¥ 0
C3M0032120K ¥ 146.2188
C3M0060065K ¥ 54.5748
C3M0060065K ¥ 36.708