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QCPL-A58JV-500E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: BROADCOM
产品描述: 1W 2个N沟道 1KV 250Ω 50mA SO-16-300MIL 贴片安装
供应商型号: Q-QCPL-A58JV-500E
供应商: 国内现货
标准整包数: 850
BROADCOM 场效应管(MOSFET) QCPL-A58JV-500E

QCPL-A58JV-500E概述


    产品简介


    Broadcom推出的QCPL-A58JV/JT是一款高电压光电MOSFET,专为汽车应用设计。这款光电MOSFET由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入端通过光学耦合连接到一个高电压输出检测电路组成。检测电路包含一个高速光伏二极管阵列和驱动电路,用于控制两个独立的高电压MOSFET的开关状态。QCPL-A58JV/JT符合AEC-Q101测试指南标准,适用于广泛的汽车和工业高温应用场合。

    技术参数


    - 工作温度范围:
    - QCPL-A58JV:–40°C 到 +105°C
    - QCPL-A58JT:–40°C 到 +125°C
    - 反向击穿电压:
    - BVDSS:1500V(IDSS = 250 µA)
    - 雪崩击穿能力:
    - 雪崩额定MOSFET
    - 关断漏电流:
    - QCPL-A58JV:IOFF < 1 µA (VDS = 1000V)
    - QCPL-A58JT:IOFF < 5 µA (VDS = 1000V)
    - 导通电阻:
    - RDS(ON) < 250Ω (ILOAD = 10 mA)
    - 开关时间:
    - 导通时间 TON < 4 ms
    - 关断时间 TOFF < 0.5 ms
    - 封装:
    - 300 mil SO-16
    - 安全绝缘等级:
    - 最大工作绝缘电压:1414 VPEAK
    - 按照UL1577标准认证,最高5000 VRMS/1分钟

    产品特点和优势


    QCPL-A58JV/JT具备多项独特功能和优势:
    - 高可靠性:通过了AEC-Q101测试,适用于汽车和工业应用。
    - 宽工作温度范围:QCPL-A58JV可以在–40°C到+105°C范围内工作,而QCPL-A58JT则扩展至–40°C到+125°C。
    - 高性能隔离:Broadcom R2Coupler™提供增强绝缘和可靠性,确保安全信号隔离。
    - 低漏电:在高电压下具有极低的关断漏电流。
    - 快速开关:出色的导通和关断时间,非常适合需要快速响应的应用场合。

    应用案例和使用建议


    QCPL-A58JV/JT广泛应用于电池绝缘电阻测量和泄漏检测,特别是在汽车电池管理系统(BMS)的飞跨电容拓扑结构中。例如,在一个电池管理系统中,可以通过使用QCPL-A58JV/JT来实现高效可靠的电气隔离,以保护低电压侧电路不受高电压侧的影响。
    在实际应用中,用户可以根据输入电流调整导通时间和关断时间。当需要更短的导通时间时,可以采用双脉冲峰值电路来驱动输入端,从而实现更短的导通时间。此外,对于需要PCB间爬电距离达到8毫米的应用,可以通过指定合适的陆地图案来满足这一要求。

    兼容性和支持


    QCPL-A58JV/JT可与符合IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准的产品兼容,并且已被批准用于UL1577组件识别计划。Broadcom公司提供了详细的订单信息,包括不同选项(如RoHS合规性和包装形式),用户可以通过Broadcom的销售代表或授权分销商进行订购。公司还提供技术支持,帮助用户解决潜在的问题和挑战。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何确保高可靠性?
    - A: 确保选择符合AEC-Q101测试标准的产品,严格遵守推荐的操作条件,并使用适当的热管理措施来保持正常的工作温度范围。
    2. Q:如果导通时间过长怎么办?
    - A: 可以通过提高输入电流或者采用峰值电路来缩短导通时间。具体实施时需注意输入电流和峰值电路的设计。
    3. Q:如何处理高电压情况下的漏电流问题?
    - A: 在选择产品时应注意其关断漏电流指标,并在实际应用中确保工作电压不超过其最大额定值。

    总结和推荐


    总体来看,QCPL-A58JV/JT凭借其高可靠性、宽温度范围、低漏电和快速开关时间等特点,在汽车及高电压工业应用领域表现出色。尤其是在电池管理系统和高可靠性的信号隔离方面,具有显著的优势。因此,强烈推荐使用此款产品以提升系统性能和可靠性。
    请注意,用户应根据具体应用需求和环境条件仔细选择合适的型号,并严格遵循产品手册中的操作规范和注意事项。

QCPL-A58JV-500E参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 250Ω
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 1W
Id-连续漏极电流 50mA
Vds-漏源极击穿电压 1KV
通道数量 -
通用封装 SO-16-300MIL
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级

QCPL-A58JV-500E厂商介绍

Broadcom Inc.(博通公司)是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国加利福尼亚州。Broadcom专注于设计、开发和提供广泛的半导体和基础设施软件解决方案,服务于数据中心、网络、软件、宽带、无线通信和工业市场。

主营产品分类包括:
1. 网络:包括以太网交换机、路由器、无线接入点等。
2. 无线通信:涉及Wi-Fi、蓝牙、GPS等无线技术。
3. 宽带:包括有线电视和宽带接入设备。
4. 工业:提供工业物联网解决方案和传感器。
5. 软件:包括网络安全、存储管理等软件产品。

应用领域广泛,包括:
- 数据中心:提供高速网络连接和存储解决方案。
- 移动设备:为智能手机、平板电脑提供无线通信技术。
- 家庭娱乐:提供宽带接入和家庭网络解决方案。
- 工业自动化:提供传感器和物联网解决方案。

Broadcom的优势在于:
- 技术创新:持续投入研发,拥有大量专利技术。
- 产品多样性:提供广泛的半导体和软件产品,满足不同市场需求。
- 客户服务:提供优质的客户支持和定制化解决方案。
- 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,服务全球客户。

QCPL-A58JV-500E数据手册

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BROADCOM 场效应管(MOSFET) BROADCOM QCPL-A58JV-500E QCPL-A58JV-500E数据手册

QCPL-A58JV-500E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
850+ ¥ 25.6793
1700+ ¥ 25.0629
2550+ ¥ 24.6521
库存: 6800
起订量: 850 增量: 0
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最小起订量为:850
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