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JCS2N60VC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 8.1nC@ 10V 3.8Ω@10V,1A 1.9A
供应商型号: JCS2N60VC IPAK
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
SINO-MICROELECTRONICS/吉林华微电子 场效应管(MOSFET) JCS2N60VC

JCS2N60VC概述

    JCS2N60C MOSFET 技术手册

    一、产品简介


    JCS2N60C 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关电源、电子镇流器及 LED 电源等多种应用场景。其独特的低栅极电荷、低 Crss 和高抗 dv/dt 能力等特点使其成为市场上的一款高性价比产品。其封装形式多样,包括 TO-92、TO-126F、IPAK、DPAK、TO-220C、TO-220MF 和 TO-220MF-K2 等,可满足不同应用场合的需求。

    二、技术参数


    以下为 JCS2N60C 的主要技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压 ±30 V |
    | 最高漏极-源极直流电压 600 V |
    | 漏极电流 | 1.1 | 1.3 | 2.0 | A |
    | 脉冲漏极电流 | 8.0 8.0 | A |
    | 击穿电压温度系数 0.6 V/℃ |
    | 正向压降 1.4 V |
    | 雪崩电流 1.9 A |
    | 输出电容 | 5 | 31 | 100 | pF |
    | 反向传输电容 | 0.2 | 3.1 | 10 | pF |
    | 静态导通电阻 | 2.5 | 3.8 | 5.0 | Ω |
    | 关断时间 35.1 | 90 | ns |
    | 开启时间 16.7 | 45 | ns |
    | 消耗功率 | 44 | 54 | 43.9 | W |

    三、产品特点和优势


    1. 低栅极电荷
    低栅极电荷有助于减少开关损耗,提高系统效率。
    2. 低 Crss
    低 Crss(典型值 3.1pF)可以降低噪声干扰,提升系统稳定性。
    3. 开关速度快
    开关速度加快使得转换效率更高,减少开关损耗。
    4. 雪崩测试合格
    所有产品均通过 100% 雪崩测试,保证可靠性和耐用性。
    5. 高抗 dv/dt 能力
    高抗 dv/dt 能力确保在高压快速切换环境下依然保持稳定。
    6. RoHS 合规
    符合环保标准,适用于全球范围内的应用。

    四、应用案例和使用建议


    1. 应用案例
    - 高频开关电源:用于电源适配器和电源模块,提高转换效率。
    - 电子镇流器:用于荧光灯照明系统,实现高效稳定的工作。
    - LED 电源:用于 LED 照明设备,提供稳定的电力供应。
    2. 使用建议
    - 在高频应用场合,选择合适的驱动电阻来优化开关速度。
    - 配合外部保护电路以防止过载和短路。
    - 注意散热管理,避免因高温导致器件失效。

    五、兼容性和支持


    兼容性
    JCS2N60C 具有多样化的封装形式,能够适应各种 PCB 设计要求,同时适用于多种电路设计环境。
    支持
    吉林华微电子提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中获得及时有效的帮助。联系方式如下:
    - 公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
    - 邮编:132013
    - 电话:86-432-64678411
    - 传真:86-432-64665812
    - 网址:www.hwdz.com.cn

    六、常见问题与解决方案


    1. Q:开关频率如何影响器件的使用寿命?
    - A: 开关频率过高会导致热量积聚,缩短使用寿命。应合理控制开关频率并配合良好的散热设计。
    2. Q:如何减少栅极电荷的影响?
    - A: 选用具有低栅极电荷特性的 MOSFET,并采用适当的驱动电路以优化开关速度。
    3. Q:在哪些情况下应使用外部保护电路?
    - A: 当负载可能产生高压尖峰时,如电机启动等情形,建议使用外部保护电路以防止过载损坏。

    七、总结和推荐



    总结


    JCS2N60C 是一款高性能、多功能的 N 沟道增强型 MOSFET,在高频开关电源、电子镇流器和 LED 电源等领域表现出色。其优越的开关特性、低栅极电荷和可靠的耐久性使其成为市场的热门选择。
    推荐
    鉴于其优良的性能和广泛的应用场景,强烈推荐在各类电力转换设备中使用 JCS2N60C。建议结合具体应用需求进行详细评估和选型。

JCS2N60VC参数

参数
栅极电荷 8.1nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 1.9A
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8Ω@10V,1A
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -

JCS2N60VC厂商介绍

Sino-Microelectronics(中微半导体)是一家领先的半导体公司,专注于集成电路(IC)设计和制造。公司主营产品包括微处理器、存储器、模拟和混合信号集成电路等,广泛应用于消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等领域。

Sino-Microelectronics的优势在于:
1. 强大的研发能力:公司拥有一支经验丰富的研发团队,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 高品质制造:采用先进的制造工艺和严格的质量控制体系,确保产品质量稳定可靠。
3. 完善的供应链管理:与全球顶级供应商建立长期合作关系,确保原材料供应稳定,降低成本。
4. 客户导向:以客户需求为导向,提供定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力提升。
5. 良好的行业口碑:凭借优质的产品和服务,公司在业界树立了良好的口碑,赢得了客户的信赖和支持。

JCS2N60VC数据手册

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JCS2N60VC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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8000+ ¥ 0.564
12000+ ¥ 0.5546
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