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SIHB12N60ET5-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 147W(Tc) 30V 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 600V 380mΩ@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-263-3 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: 78-SIHB12N60ET5-GE3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 937pF@100V
最大功率耗散 147W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 58nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ@ 6A,10V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

SIHB12N60ET5-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIHB12N60ET5-GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SIHB12N60ET5-GE3 SIHB12N60ET5-GE3数据手册

SIHB12N60ET5-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ $ 0.9752 ¥ 8.2408
2400+ $ 0.9324 ¥ 7.8788
5600+ $ 0.923 ¥ 7.7989
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