处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF730SPBF

IRF730SPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.1W(Ta),74W(Tc) 20V 4V@ 250µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 400V 1Ω@ 3.3A,10V 5.5A 700pF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: IRF730SPBF
供应商: TME
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF730SPBF

IRF730SPBF概述

    IRF730S, SiHF730S Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF730S 和 SiHF730S 是由 Vishay Siliconix 生产的第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件适用于高电流应用,具备快速开关、坚固设计、低导通电阻和成本效益高等特性。它们采用 D2PAK(TO-263)封装形式,可以容纳尺寸高达 HEX-4 的芯片,且在现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和最低的导通电阻。D2PAK 封装适合高电流应用,因为其内部连接电阻低,并能在一个典型的表面贴装应用中耗散高达 2.0W 的功率。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 400 | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流(Tc = 25°C) | ID | 5.5 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 22 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 290 | mJ |
    | 雪崩电流 | IAR | - | - | 5.5 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | - | - | 7.4 | mJ |
    | 导通电阻(VGS = 10V) | RDS(on) | - | - | 1.0 | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 38 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | QGS | - | - | 5.7 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | QGD | - | - | 22 | nC |

    产品特点和优势


    IRF730S 和 SiHF730S 功率 MOSFET 具备以下独特功能和优势:
    - 环保材料:符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和 IEC 61249-2-21 标准。
    - 快速开关:动态 dv/dt 额定值和重复雪崩额定值。
    - 简单驱动要求:易并联,简单的驱动需求。
    - 高可靠性:适用于高电流应用,内部连接电阻低。

    应用案例和使用建议


    IRF730S 和 SiHF730S 主要用于需要高电流、高速度和高效能的应用场景。例如,在电源管理、电机控制和电池管理系统等领域。以下是一些使用建议:
    - 电源管理:利用其低导通电阻,减少功耗并提高效率。
    - 电机控制:结合高电流和快速开关能力,实现更精准的电机控制。
    - 电池管理系统:利用其高可靠性,确保系统的稳定运行。

    兼容性和支持


    IRF730S 和 SiHF730S 采用标准 D2PAK 封装,易于与其他电子元器件集成。Vishay Siliconix 提供详尽的技术支持和售后服务,包括应用指南和故障排查帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:器件在高温下性能下降?
    - 解决方案:确保散热良好,适当降低工作温度。
    - 问题:电流波形不稳定?
    - 解决方案:检查电路布局,减少寄生电感。

    总结和推荐


    IRF730S 和 SiHF730S 功率 MOSFET 提供了一种高效、可靠的解决方案,适用于多种高电流应用。其独特的环保特性、快速开关和简单驱动需求使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐使用这些器件,特别是在高电流应用中。
    通过以上详细分析,我们可以看出 IRF730S 和 SiHF730S 在性能、可靠性和应用方面都有出色表现,值得广泛采用。

IRF730SPBF参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 3.1W(Ta),74W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 3.3A,10V
配置 -
栅极电荷 38nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 400V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@25V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF730SPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF730SPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF730SPBF IRF730SPBF数据手册

IRF730SPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 0.9625 ¥ 7.8078
250+ $ 0.84 ¥ 6.8023
1000+ $ 0.78 ¥ 6.3164
库存: 148
起订量: 54 增量: 0
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 390.39
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336