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IRFU1N60APBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 1.4 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 3772720
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFU1N60APBF

IRFU1N60APBF概述


    产品简介


    Vishay Siliconix 的 IRFR1N60A、IRFU1N60A、SiHFR1N60A 和 SiHFU1N60A 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET。它们广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。这些器件具有低栅极电荷、改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性等特点,适合需要高可靠性和高效率的应用场合。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS):600V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 7.0 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 14 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):2.7 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):8.1 nC
    - 配置:单通道 N 沟道 MOSFET
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS):± 30 V
    - 连续漏极电流 (ID):在 TC = 25 °C 时为 1.4 A,TC = 100 °C 时为 0.89 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):93 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):1.4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):3.6 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):在 TC = 25 °C 时为 36 W
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:3.8 V/ns
    - 工作结温范围:-55 °C 到 +150 °C
    - 热阻率:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):无引脚封装为 110 °C/W,PCB 安装为 50 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):3.5 °C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):简化驱动需求,降低功耗。
    - 改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 坚固性:增强了可靠性,适用于恶劣的工作环境。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流特性:确保产品的稳定性和可靠性。
    - 多种封装选择:包括 DPAK (TO-252) 和 IPAK (TO-251),方便用户根据具体需求选择合适的封装形式。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在多种应用中表现优异,特别是在 SMPS 中作为开关元件使用。例如,在飞背拓扑结构中,它们能够提供稳定的输出电压和高效的能量转换。在使用这些器件时,需要注意:
    - 确保电路设计合理,特别是栅极驱动电路的设计,以避免过高的电压或电流导致器件损坏。
    - 注意散热设计,确保 MOSFET 能够在工作温度范围内正常工作,避免过热。
    - 在设计过程中考虑负载的变化,合理设置驱动电阻以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    这些器件具有良好的兼容性,可以与多种电子设备和系统集成。制造商提供了详细的技术文档和应用程序指南,用户可以在官网找到相关资料。此外,Vishay 还提供了技术支持服务,帮助用户解决实际应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流下器件过热。
    - 解决方案:增加散热片或使用更大尺寸的散热器,或者优化 PCB 设计以提高散热效果。
    2. 问题:栅极驱动不稳定。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路设计,适当调整驱动电阻和电容值,确保驱动信号稳定。
    3. 问题:器件在高温环境下表现不稳定。
    - 解决方案:检查热管理设计,确保器件在规定的工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    总体来说,IRFR1N60A、IRFU1N60A、SiHFR1N60A 和 SiHFU1N60A 是非常优秀的 N 沟道 MOSFET,特别适合于开关电源和 UPS 等应用场合。它们具备低栅极电荷、改进的坚固性和稳定性等显著特点,能够满足大部分应用场景的需求。因此,我们强烈推荐这些产品用于高可靠性要求的应用场合。
    本文档内容来自 Vishay Siliconix 的官方技术手册,并经过整理和总结。如需更多信息,请访问官方网站或联系技术支持。

IRFU1N60APBF参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 7Ω@ 840mA,10V
Id-连续漏极电流 1.4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 229pF@25V
最大功率耗散 36W(Tc)
栅极电荷 14nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
长*宽*高 6.73mm(长度)*2.39mm(宽度)
通用封装 TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFU1N60APBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFU1N60APBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF数据手册

IRFU1N60APBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.229
10+ ¥ 6.2341
100+ ¥ 5.5857
500+ ¥ 5.486
1000+ ¥ 5.3862
5000+ ¥ 5.3862
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