处理中...

首页  >  产品百科  >  2N6661

2N6661

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 725mW(Ta),6.25W(Tc) 20V 2V@1mA 1个N沟道 90V 4Ω@ 1A,10V 50pF@25V TO-39 通孔安装
供应商型号: UA-2N6661
供应商: 海外现货
标准整包数: 200
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) 2N6661

2N6661概述


    产品简介


    2N6661是一款N沟道增强型MOSFET,其主要特点是耐压高达90V(D-S),具有较低的导通电阻和开关速度,适用于高可靠性系统和直接逻辑电平接口应用。这种器件特别适合于TTL/CMOS直接接口、驱动器(如继电器、螺线管、灯泡、锤子、显示器、存储器、晶体管等)以及电池供电系统。此外,它也可用于固态继电器中。

    技术参数


    以下是2N6661的关键技术参数:
    - 最大耐压:90V(D-S)
    - 最大导通电流:0.86A @ 25°C, 0.54A @ 100°C
    - 最大脉冲电流:3A
    - 最大功率耗散:6.25W @ 25°C, 0.725W @ 100°C
    - 热阻抗:Junction-to-Ambient (RthJA) = 170°C/W, Junction-to-Case (RthJC) = 20°C/W
    - 绝对最高温度范围:TJ, Tstg = -55°C to 150°C
    - 导通电阻:3.6Ω @ 10V(@25°C)

    产品特点和优势


    - 军事合格:满足军事标准要求。
    - 低导通电阻:3.6Ω @ 10V,降低能耗。
    - 低阈值电压:1.6V,易于驱动,无需缓冲电路。
    - 快速开关速度:6ns,适合高速电路应用。
    - 低输入和输出漏电流:保证低功耗和高可靠性。

    应用案例和使用建议


    - Hi-Rel 系统:例如卫星通讯、航空航天系统等,需要高可靠性的场合。
    - TTL/CMOS 直接接口:如数字信号处理器(DSP)和微控制器(MCU)的接口。
    - 驱动器应用:适用于控制各种负载,如电机、电磁阀、灯泡等。
    - 电池供电系统:由于其低功耗特性,适合于便携式和电池供电设备。

    建议在设计电路时,考虑到散热问题,合理布局以确保器件正常工作。同时,在高频率切换应用中,应注意输入电容的影响,避免因电容充电放电导致的延迟。

    兼容性和支持


    2N6661系列器件具有多种封装选项,适用于不同的应用场景。制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括封装图纸、零件标记和可靠性数据。对于具体应用场景,建议联系制造商获取更详细的指导和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动和关断时间过长
    - 解决方案:检查栅极电容(Ciss、Coss、Crss)是否过大,考虑使用更快的开关电路或减小栅极电容。
    - 问题2:发热问题
    - 解决方案:确保良好的散热措施,增加散热片或采用更大的散热片尺寸。
    - 问题3:开关速度不足
    - 解决方案:确认栅极驱动器的驱动能力足够强,必要时可以使用更高功率的驱动器。

    总结和推荐


    2N6661是一款具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性的N沟道MOSFET。它非常适合应用于高可靠性系统、逻辑电平接口、驱动器及电池供电系统中。经过测试验证,这款器件在多方面表现出色,尤其是其军事合格特性和低漏电流特性使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,2N6661是非常值得推荐的电子元器件,适用于多种复杂的应用场景。

2N6661参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 90V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 1A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
最大功率耗散 725mW(Ta),6.25W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
栅极电荷 -
9.4mm(Max)
8.15mm(Max)
6.6mm(Max)
通用封装 TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

2N6661厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

2N6661数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY 2N6661 2N6661数据手册

2N6661封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 200 增量: 200
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831