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IRF620

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 14nC@ 10 V 1个N沟道 200V 800mΩ@ 3.1A,10V 260pF@25V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: SEC-IRF620
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF620

IRF620概述

    # Vishay Siliconix IRF620 和 SiHF620 产品技术手册解读

    产品简介


    基本介绍
    IRF620 和 SiHF620 是由 Vishay Siliconix 推出的第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道类型。其设计目的是提供快速开关性能、坚固耐用的设计以及低导通电阻(RDS(on))和成本效益的最佳组合。这些产品广泛应用于商业和工业用途,特别是在需要高功率和稳定性能的场合。
    主要功能
    1. 快速开关能力:降低功耗并提高效率。
    2. 动态 dv/dt 额定值:适应高压和高频应用。
    3. 反复雪崩额定值:增强了可靠性。
    4. 易于并联:有助于功率扩展。
    5. 简单驱动需求:简化电路设计。
    应用领域
    IRF620 和 SiHF620 在许多领域中有着广泛的应用,例如电源管理、电机控制、太阳能逆变器、DC-DC 转换器以及电池充电器等。

    技术参数


    以下是 IRF620 和 SiHF620 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.80 | - | Ω |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 50 | - | W |
    | 冷却温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    其他关键参数还包括输入电容、输出电容、反向传输电容、总栅极电荷等。详细的参数见产品技术手册。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 快速开关能力:减少开关损耗,提高整体系统效率。
    2. 坚固耐用:支持重复雪崩测试,适合恶劣环境。
    3. 低导通电阻:在各种工作条件下保持较低的导通损耗。
    4. 易于并联:便于多芯片配置以满足更高的电流需求。
    市场竞争力
    IRF620 和 SiHF620 的出色性能使其成为高性能功率管理的理想选择。它们不仅具备强大的电气特性,还符合 RoHS 标准,适用于环保要求严格的应用场合。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    IRF620 和 SiHF620 常用于以下领域:
    - 电源转换器:实现高效的 DC-DC 或 AC-DC 转换。
    - 电机驱动器:用于控制电动机的速度和方向。
    - 太阳能逆变器:将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的热设计以防止过热现象。
    - 电路布局:尽量减少寄生电感,采用接地平面设计。
    - 驱动电路优化:合理设置栅极电阻以优化开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRF620 和 SiHF620 采用标准 TO-220AB 封装,易于与其他元件集成。同时,其电气特性经过优化,可与其他主流品牌产品互换使用。
    支持服务
    Vishay Siliconix 提供全面的技术支持和客户培训服务,帮助用户快速上手并解决问题。此外,公司还提供详尽的文档资源和可靠的售后服务保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关时间过长 | 调整栅极电阻值以加快开关速度 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加外部散热器 |
    | 性能不稳定 | 检查电路布局,确保低噪声和低杂散电感 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRF620 和 SiHF620 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET。其快速开关、低导通电阻和坚固耐用的特点使其成为众多应用场合的理想选择。无论是在工业还是消费电子领域,这款产品都表现出色。
    推荐结论
    对于需要高效能和高可靠性的应用场合,强烈推荐使用 IRF620 和 SiHF620。其优异的技术参数和广泛的兼容性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。

IRF620参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 14nC@ 10 V
通道数量 -
最大功率耗散 50W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 260pF@25V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@ 3.1A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
10.41mm(Max)
4.7mm(Max)
9.01mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF620厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF620数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF620 IRF620数据手册

IRF620封装设计

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