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IRF640SPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 18 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-IRF640SPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF640SPBF

IRF640SPBF概述


    产品简介


    IRF640S, SiHF640S, SiHF640L 是 Vishay Siliconix 公司生产的第三代功率 MOSFET。这些产品适用于多种高电流应用,具有快速开关、低导通电阻和成本效益等特点。它们有表面贴装和穿孔式两种封装形式,可提供高达 200V 的击穿电压。这类器件广泛应用于电源转换器、电机驱动器、逆变器和其他需要高效电力转换的应用中。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):200V
    - 最大持续漏极电流(ID):11A @ TC = 25 °C, 7A @ TC = 100 °C
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):72A
    - 导通电阻(RDS(on)):0.18Ω @ VGS = 10V
    - 总栅极电荷(Qg):70nC
    - 栅源电荷(Qgs):13nC
    - 栅漏电荷(Qgd):39nC
    - 最大峰值反向恢复电压(dV/dt):5.0V/ns
    - 工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C
    - 封装形式:D2PAK (TO-263), I2PAK (TO-262)

    产品特点和优势


    IRF640S, SiHF640S, SiHF640L 在以下方面表现出色:
    - 快速开关:这些器件具有极快的开关速度,可以在高频应用中实现高效的能量转换。
    - 低导通电阻:低至 0.18Ω 的导通电阻使得这些 MOSFET 在大电流应用中具有很高的效率。
    - 高可靠性:通过完全雪崩测试,确保在极端条件下也能稳定工作。
    - 低内阻:适合高电流应用,且能承受较高的瞬态热冲击。
    - 可选择封装:提供表面贴装和穿孔式两种封装选项,以满足不同应用需求。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在以下应用中表现出色:
    - 电源转换器:由于其低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于各种电源转换器。
    - 电机驱动器:在电机控制电路中,其低导通电阻和快速开关特性能够有效提高系统的效率和可靠性。
    - 逆变器:在逆变器应用中,可以实现高效的直流到交流转换。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,以避免因过热导致器件损坏。
    - 使用适当的栅极驱动电阻(Rg)来优化开关时间和降低功耗。
    - 注意避免超出绝对最大额定值,如最大栅源电压(±20V),以防止器件损坏。

    兼容性和支持


    IRF640S, SiHF640S, SiHF640L 与其他电子元器件或设备的兼容性良好,可以轻松集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术文档和在线技术支持,确保用户能够快速解决问题并进行有效的应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 过热。
    解决方案:检查散热片是否足够大,确保器件安装在具有良好散热性能的PCB上。
    2. 问题:开关时间长。
    解决方案:使用较低阻抗的栅极驱动器,或者增加栅极驱动电阻(Rg)以减少栅极充电时间。
    3. 问题:栅极泄漏电流大。
    解决方案:检查栅极驱动电路是否有损坏的元件,更换可能存在问题的元件。

    总结和推荐


    IRF640S, SiHF640S, SiHF640L 具有优异的性能和可靠性的组合,使其成为高性能电源转换应用的理想选择。无论是用于工业设备、汽车电子还是消费电子产品,这些 MOSFET 都能够提供出色的性能和耐用性。因此,强烈推荐使用这些器件来提升您的设计性能。

IRF640SPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@25V
配置 独立式
最大功率耗散 3.1W(Ta),130W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 11A,10V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 70nC@ 10 V
10.41mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)+0.25
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF640SPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF640SPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF640SPBF IRF640SPBF数据手册

IRF640SPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.6263 ¥ 5.248
285+ $ 0.62 ¥ 5.1956
869+ $ 0.6038 ¥ 5.0594
2268+ $ 0.5688 ¥ 4.7661
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