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IRF540

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 72nC@ 10 V 1个N沟道 100V 77mΩ@ 17A,10V 33A 1.7nF@25V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: MIK-IRF540
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF540

IRF540概述

    # Vishay IRF540/SiHF540 Power MOSFET 技术详解

    产品简介


    Vishay IRF540 和 SiHF540 是一款高性能的第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为满足现代电力电子系统对高效、高速切换的需求而设计。这类器件具有优异的开关性能、高可靠性和低导通电阻,非常适合应用于工业、消费电子和汽车电子等领域。IRF540/SiHF540 采用 N 沟道结构,具有单通道配置,适用于直流到直流转换器、电机驱动和电源管理等多种场景。
    主要功能
    - 快速开关:出色的开关速度和低开关损耗,适合高频应用。
    - 高可靠性:通过重复雪崩测试验证,适合恶劣的工作环境。
    - 宽温度范围:能够在极端温度条件下稳定运行,最高工作温度可达 175°C。
    应用领域
    - 工业自动化控制
    - 电源管理模块
    - 电机驱动系统
    - 汽车电子(如发动机控制单元)

    技术参数


    以下是 IRF540/SiHF540 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
    | 栅源漏电 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻(10 V 栅源电压)| RDS(on) | - | 0.077 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 72 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 11 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 32 | - | nC |
    | 绝对最大耗散功率 | PD | - | 150 | - | W |
    | 最大工作温度 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    特性亮点:
    - 动态 dV/dt 评级:支持高达 5.5 V/ns 的快速变化电压率,适合高压快速应用。
    - 重复雪崩电流:支持高达 28 A 的峰值电流,适合需要强瞬态能量吸收的应用。
    - 简易驱动需求:无需复杂的驱动电路即可轻松并联操作。

    产品特点和优势


    1. 卓越的开关性能:低导通电阻和快速开关特性显著降低了开关损耗,提高了整体效率。
    2. 高可靠性:通过重复雪崩测试验证,可在严苛环境下长时间稳定运行。
    3. 环保合规:符合 RoHS 指令,是绿色电子产品的理想选择。
    4. 宽温度范围:从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围,确保了在极端条件下的可靠运行。
    5. 通用封装:采用 TO-220AB 封装,易于安装且成本低廉。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业电机驱动:IRF540/SiHF540 的快速开关特性和高可靠性使其成为工业电机驱动的理想选择。
    - 太阳能逆变器:其低导通电阻和低功耗特性有助于提升太阳能逆变器的整体效率。
    - 汽车电子:适用于汽车电子控制系统,如雨刮器电机驱动和空调压缩机控制。
    使用建议
    - 在高频应用中,建议使用低电感布线以减少寄生效应。
    - 为避免热失控,建议根据器件的热阻特性合理布局散热片。
    - 配备合适的缓冲电路以保护器件免受过电压冲击。

    兼容性和支持


    IRF540/SiHF540 支持广泛的应用环境,并与大多数主流控制器和驱动器兼容。Vishay 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和在线技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查是否使用了低电感电路设计 |
    | 热失控 | 确保足够的散热措施,并优化电路布局 |
    | 输出不稳定 | 确认驱动电路电压和电流是否匹配器件要求 |

    总结和推荐


    优点

    总结


    - 出色的开关性能和低导通电阻。
    - 优异的耐高温能力和高可靠性。
    - 环保设计,符合 RoHS 标准。
    - 性价比高,适合广泛应用。
    推荐结论
    Vishay IRF540/SiHF540 是一款性价比极高的功率 MOSFET,适用于多种工业和消费电子应用。无论是需要高效率还是高可靠性的场景,它都表现出色。因此,我们强烈推荐这款产品用于现代电力电子设计中。
    如果您正在寻找一款高效、可靠且经济的功率 MOSFET,IRF540/SiHF540 将是一个理想的选择。

IRF540参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.7nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 77mΩ@ 17A,10V
最大功率耗散 150W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 33A
栅极电荷 72nC@ 10 V
10.51mm(Max)
4.65mm(Max)
9.01mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF540厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF540数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF540 IRF540数据手册

IRF540封装设计

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500+ $ 0.8411 ¥ 7.0488
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