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IRFB17N50LPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay, 场效应管Mosfet
供应商型号: F-IRFB17N50LPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRFB17N50LPBF

IRFB17N50LPBF概述

    IRFB17N50L, SiHFB17N50L MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFB17N50L 和 SiHFB17N50L 是由 Vishay Siliconix 生产的 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些 MOSFET 主要用于开关模式电源供应(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速电力开关、零电压开关(ZVS)电路及高频逆变器等应用领域。它们具有低栅极电荷(Qg),简化了驱动要求,并且具有出色的栅极、雪崩和动态 dV/dt 的坚固性。

    技术参数


    IRFB17N50L 和 SiHFB17N50L 的技术参数如下:
    - 漏源击穿电压(VDS):500V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):3.0V 至 5.0V
    - 最大栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏电流(ID):25°C 时为 16A,100°C 时为 11A
    - 脉冲漏电流(IDM):64A
    - 总栅极电荷(Qg):130nC
    - 栅源电荷(Qgs):33nC
    - 栅极至漏极电荷(Qgd):59nC
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10V 时为 0.28Ω(典型值)
    - 反向恢复时间(trr):25°C 时为 170ns,125°C 时为 220ns

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:这有助于简化驱动电路的设计,降低驱动功耗。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性:使得这些 MOSFET 在高瞬态应力环境下表现出色。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流表征:提供了详尽的器件特性数据,便于工程师进行设计验证。
    - 低反向恢复时间和软二极管恢复:减少了电路中的损耗,提高了系统效率。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源(SMPS):在设计过程中应考虑 MOSFET 的高雪崩能量和低栅极电荷特性,确保高效运行。
    - 高频率电路:考虑到高速开关的需求,选择合适的栅极电阻以优化开关性能。
    - 零电压开关(ZVS):在设计 ZVS 系统时,应重点关注 MOSFET 的低反向恢复时间和低损耗特性,以减少切换损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些 MOSFET 采用 TO-220AB 封装,适用于多种标准 PCB 设计。与市面上大多数通用电源设计兼容。
    - 支持:Vishay 提供详尽的技术文档和支持服务,包括可靠性数据和封装细节,帮助工程师更好地理解和应用这些器件。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保 MOSFET 在高温度下的稳定运行?
    A: 保持良好的散热设计,选用合适的散热片,并参考绝对最大额定值中的热阻参数来确保温度不超过安全范围。

    - Q: 如何优化电路的切换性能?
    A: 调整栅极电阻值以优化开关速度,同时注意不要因过快的开关导致 MOSFET 损坏。

    总结和推荐


    总体来看,IRFB17N50L 和 SiHFB17N50L MOSFET 是高性能的 N-通道 MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。由于其优异的性能和广泛的应用领域,非常值得推荐给需要高效、可靠的功率控制解决方案的工程师和设计师们。

IRFB17N50LPBF参数

参数
配置 独立式
Id-连续漏极电流 16A
最大功率耗散 220W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 320mΩ@ 9.9A,10V
栅极电荷 130nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.76nF@25V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
长*宽*高 10.41mm*4.7mm*15.49mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFB17N50LPBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRFB17N50LPBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF数据手册

IRFB17N50LPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.2936 ¥ 10.9568
100+ $ 1.2821 ¥ 10.859
150+ $ 1.2705 ¥ 10.7611
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