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IRF510

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 43W(Tc) 20V 4V@ 250µA 8.3nC@ 10 V 1个N沟道 100V 540mΩ@ 3.4A,10V 180pF@25V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: MIK-IRF510
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF510

IRF510概述

    # Vishay IRF510/SiHF510 功率 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    Vishay Siliconix 提供的 IRF510 和 SiHF510 是第三代功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高速开关、高可靠性设计及低成本提供最佳组合。它们属于 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于工业、消费电子和通信领域。
    主要功能
    - 动态 dv/dt 额定值:适用于高压和高频环境。
    - 重复雪崩额定值:提升器件的耐用性。
    - 高温运行能力:可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内工作。
    - 快速开关特性:低开关损耗,适合高效能应用。
    - 并联便捷性:方便实现大电流需求。
    应用领域
    这些 MOSFET 广泛用于直流电机驱动、电源管理、通信设备、LED 照明以及太阳能逆变器等场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏-源极击穿电压 | VDS 100 V |
    | 漏-源极导通电阻 | RDS(on) 0.54 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 8.3 nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs 2.3 nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd 3.8 nC |
    工作环境
    - 最大工作结温:175°C
    - 最大存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 最大雪崩能量:75 mJ

    产品特点和优势


    特点
    - 动态性能卓越:具备高重复雪崩能力和快速开关速度。
    - 易于并联设计:内部结构保证了 MOSFET 之间的良好一致性。
    - 简单驱动需求:低驱动电压和低栅极电容降低了驱动电路复杂度。
    优势
    - 高效率:低导通电阻和快速开关确保了系统整体功耗降低。
    - 强适应性:支持宽温度范围,适合严苛环境。
    - 成本效益:采用 TO-220AB 封装,经济实惠且通用性强。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源转换模块:IRF510 可用于高效的 DC-DC 转换器,提高系统功率密度。
    2. 电机控制:在交流电机控制器中作为开关元件,实现高效节能。
    3. 太阳能逆变器:利用其高耐压和重复雪崩特性处理瞬态过压。
    使用建议
    - 散热管理:由于器件功耗较大,需选择合适的散热片以保持结温低于 175°C。
    - 布局优化:PCB 设计时减少寄生电感,采用多层接地平面来改善电磁兼容性。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRF510 和 SiHF510 可与同类规格的功率 MOSFET 替代使用,如 IRFZ44N 或 STP50NF06L,同时支持 TO-220AB 插脚布局,便于替换现有设计。
    支持信息
    Vishay 提供详尽的技术文档和在线支持服务,可通过官网或直接联系技术支持邮箱 hvm@vishay.com 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 优化驱动电路,增加驱动电流至推荐值 |
    | 高温下性能下降 | 检查散热措施,确保工作环境符合要求 |
    | 器件损坏 | 检查输入信号是否超出额定范围 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRF510 和 SiHF510 是高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合需要高效率、高可靠性的应用场合。其紧凑的 TO-220AB 封装、低成本以及广泛的工作温度范围使其成为市场上极具竞争力的选择。
    推荐使用场景
    推荐用于需要快速开关、高效率、重复雪崩保护的应用场景,例如工业级电源、电动汽车充电器和通信设备等。
    如果您正在寻找一款性价比高、性能稳定的功率 MOSFET,IRF510 和 SiHF510 是您的理想之选。

IRF510参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 43W(Tc)
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 540mΩ@ 3.4A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 180pF@25V
10.41mm(Max)
4.7mm(Max)
9.01mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF510厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF510数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF510 IRF510数据手册

IRF510封装设计

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