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QM6006M6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UPI SEMICONDUCTOR/台湾力智电子
产品描述: 19.3nC@ 4.5V 14mΩ@ 10V,30A 40A DFN-5060-8L
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
UPI SEMICONDUCTOR/台湾力智电子 场效应管(MOSFET) QM6006M6

QM6006M6概述

    QM6006M6 N-Ch 60V 快速开关 MOSFET 技术手册

    产品简介


    QM6006M6 是一款 N 沟道 MOSFET,适用于高频同步降压转换器。其主要功能包括高频率点负载同步降压转换器、网络直流电源系统及 LCD/LED 背光应用。该产品凭借其出色的性能和高密度单元结构,在多个领域展现出卓越的应用潜力。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏源电压(VDS):60 V
    - 电流参数
    - 漏极连续电流(ID):25℃时为140 A,100℃时为125 A,25℃外壳温度下为17.4 A,70℃外壳温度下为16 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):280 A
    - 热参数
    - 结壳热阻(RθJC):2.1 ℃/W
    - 结-壳热阻(RθJA):62 ℃/W
    - 其他
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):367 mJ
    - 雪崩电流(IAS):28 A

    产品特点和优势


    QM6006M6 具有以下几个独特的优势:
    - 先进的高密度槽式技术:提供卓越的 RDSON 和栅电荷。
    - 超低栅电荷:优化了高频应用的性能。
    - 优秀的CdV/dt效果下降:提高稳定性和可靠性。
    - 100% EAS 保证:确保了极端条件下的可靠运行。
    - 绿色环保设备:符合 RoHS 和绿色产品标准。

    应用案例和使用建议


    QM6006M6 可用于以下应用:
    - 高频点负载同步降压转换器(例如移动设备、嵌入式计算机、视频处理器)
    - 网络直流电源系统
    - LCD/LED 背光
    在使用过程中,建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施,避免超过最大结温。
    - 使用合适的栅电阻以优化开关速度和降低开关损耗。
    - 考虑使用外部缓冲电路以保护 MOSFET 在开关过程中免受过电压冲击。

    兼容性和支持


    QM6006M6 与大多数标准封装和 PCB 布局相兼容,可直接替换其他品牌同类型的 MOSFET。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定最佳的栅电阻值?
    - 答: 参考手册中的数据表和典型特性曲线,根据所需的开关速度和功率损耗来选择合适的栅电阻。

    2. 问:在高温环境下使用时,如何避免过热?
    - 答: 确保散热设计合理,如采用大面积散热片或散热器,并定期监测结温以防止过热。

    总结和推荐


    QM6006M6 N 沟道 MOSFET 凭借其高性能、高可靠性和易用性,在高频同步降压转换器和相关应用中表现出色。该产品在设计时充分考虑了绿色环保要求,使其成为市场上值得推荐的选择。强烈建议在需要高效、稳定性能的应用中使用该产品。

QM6006M6参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 10V,30A
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 40A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 19.3nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 DFN-5060-8L
应用等级 工业级

QM6006M6数据手册

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QM6006M6封装设计

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