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TSM033NB04CR RLG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 3.1W(Ta),107W(Tc) 20V 4V 77nC 1个N沟道 40V 3.3mΩ@ 121A,10V 121A 5.022nF@20V PDFN-56 贴片安装
供应商型号: 3773039
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM033NB04CR RLG

TSM033NB04CR RLG概述

    高温高效能N沟道MOSFET——TSC全新推出40V和60V系列产品

    1. 产品简介


    TSC(台湾半导体)近期推出了全新40V和60V N沟道MOSFET系列,这些器件能够在高达175°C的结温条件下正常运行,特别适合高环境温度的应用场景。此系列MOSFET具有逻辑级或标准门阈电压选择,并提供多种导通电阻(RDS(on))等级以满足不同的功率开关设计需求。其Qgd/Qgs和Qrr参数经过优化,不仅提升了关键性能指标(如开关效率),还有效减少了电磁干扰(EMI)。此外,该系列MOSFET采用小型化PDFN56封装形式,进一步增强了功率密度。

    2. 技术参数


    以下是TSC新型MOSFET的部分技术规格汇总表:
    | 型号 | 封装类型 | 工作结温 (°C) | VDS (V) | RDS(10V) (mΩ) max | RDS(4.5V) (mΩ) max | Qg(10V) (nCtyp.) | Qg(4.5V) (nCtyp.) | Qgs (nCtyp.) | Qgd (nCtyp.) | MP Schedule |

    | TSM025NB04LCR | PDFN56 | 175 | 40 | 2.5 | 3.2 | 112 | 57 | 18 | 27 | MP |
    | TSM048NB06LCR | PDFN56 | 175 | 60 | 4.8 | 6.8 | 105 | 52 | 17 | 23 | MP |
    | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... | ... |
    注:型号后缀“LCR”表示低阈值电压选项,“CR”表示常规阈值电压选项。

    3. 产品特点和优势


    - 宽广的工作温度范围:支持最高175°C的结温,相较于传统150°C的产品提供了更高的设计余量,适用于极端高温环境下运行。
    - 优化的关键参数:Qgd/Qgs及Qrr参数优化,大幅提升了开关性能并降低了EMI。
    - 灵活的RDS(on)等级:从2.5 mΩ到30 mΩ不等,覆盖广泛的应用场景。
    - 高可靠性:采用PDFN56紧凑型封装,兼具高效散热与小型化优势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子:适用于发动机管理系统(EMS)、动力总成控制单元等需要在恶劣热环境下工作的场合。
    - 工业自动化:适合高温工业设备如电机驱动器、逆变器等应用。
    - 消费电子产品:可用于电源适配器、充电器等便携式设备中。
    使用建议
    - 在选择具体型号时,需根据目标电路的实际电流要求匹配合适的RDS(on)值。
    - 对于高频应用,优先考虑Qgd和Qgs较低的型号以减少寄生效应。
    - 设计PCB布局时,确保良好的热管理措施以发挥其高结温能力的优势。

    5. 兼容性和支持


    TSC的新一代MOSFET可直接替代市场上主流的同类型器件,且完全兼容现有设计。同时,厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括样片申请、工程咨询和技术培训,帮助客户快速导入新产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 确保良好的散热设计,并选用更高额定结温的型号。 |
    | 开关损耗较大 | 调整栅极驱动电阻阻值,优化Qgd/Qgs参数的选择。 |
    | 输出电流不足 | 更换导通电阻更低的型号以满足大电流需求。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,TSC推出的这款40V/60V N沟道MOSFET凭借其卓越的耐高温性能、优异的开关特性以及高度灵活性,无疑是当前市场上极具竞争力的选择之一。无论是针对汽车、工业还是消费领域的严苛需求,该系列产品均表现出色。因此,强烈推荐给那些寻求高性能、高可靠性的工程师团队采用。
    如有任何疑问或定制需求,欢迎联系TSC销售代表或授权经销商获取更多信息!
    联系信息
    官方网站: [www.taiwansemi.com](http://www.taiwansemi.com)
    邮箱: info@taiwansemi.com
    电话: +886-XXX-XXXXXXX

TSM033NB04CR RLG参数

参数
最大功率耗散 3.1W(Ta),107W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 77nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.022nF@20V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 121A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 121A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
通用封装 PDFN-56
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TSM033NB04CR RLG数据手册

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TSM033NB04CR RLG封装设计

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