处理中...

首页  >  产品百科  >  TSM055N03PQ56

TSM055N03PQ56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: Taiwan Semiconductor 增强型MOS管 TSM025系列, Vds=30 V, 80 A, PDFN56封装, 8引脚
供应商型号: 2169666
供应商: 海外现货
标准整包数: 25
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM055N03PQ56

TSM055N03PQ56概述

    TSM055N03PQ56 30V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    TSM055N03PQ56 是一款适用于多种电子应用的30V N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备出色的电流处理能力和低导通电阻,使其成为电源管理、电机控制和通用开关电路的理想选择。此型号还具有无卤素的特点,符合IEC 61249-2-21定义。

    技术参数


    以下是TSM055N03PQ56的主要技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS | 30 | V |
    | RDS(on)
    | VGS = 10V | 5.5 | mΩ |
    | VGS = 4.5V | 8.5 | mΩ |
    | Qg | 11.1 | nC |
    此外,其他关键电气特性如下:
    | 参数 | 条件 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 静态 |
    | 源漏击穿电压 | VGS = 0V, ID = 250µA | BVDSS | 30 V |
    | 源漏导通电阻 | VGS = 10V, ID = 20A | RDS(ON) 4.5 | 5.5 | mΩ |
    | 门限电压 | VDS = VGS, ID = 250µA | VGS(TH)| 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
    | 动态 |
    | 总栅极电荷 | VDS = 15V, ID = 20A, VGS = 4.5V | Qg 11.1 nC |
    | 输入电容 | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz | Ciss 1160

    产品特点和优势


    TSM055N03PQ56 的主要特点和优势如下:
    - 高耐压能力:最大漏源电压为30V,适用于各种高压应用场景。
    - 低导通电阻:在10V和4.5V门限电压下分别仅为5.5mΩ和8.5mΩ,使得器件在低导通状态下能够有效减少功率损耗。
    - 优异的热性能:热阻抗较低,可有效散热,延长器件使用寿命。
    - 无卤素材料:符合环保要求,适合绿色电子产品设计。

    应用案例和使用建议


    TSM055N03PQ56 可广泛应用于各类电力转换和控制系统中,如直流-直流转换器、逆变器、电池管理系统等。在实际使用过程中,建议用户根据具体应用需求合理配置栅极电阻,以优化开关性能。

    兼容性和支持


    TSM055N03PQ56 使用PDFN56封装,易于焊接并提供良好的机械稳定性。该产品可与其他标准30V N-Channel MOSFET产品兼容。制造商提供全面的技术支持和质保服务,确保客户顺利部署和使用。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及相应的解决方案:
    1. 问题:器件过热
    解决方案:检查散热措施,增加外部散热片或优化系统布局。
    2. 问题:工作不稳定
    解决方案:确认驱动信号波形和频率,确保正确配置栅极电阻和驱动电路。

    总结和推荐


    总体而言,TSM055N03PQ56 是一款高性能、可靠且环保的30V N-Channel MOSFET。其卓越的电气特性和热性能使其成为众多电子系统的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高可靠性、高效率的应用场合。

TSM055N03PQ56参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 80A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.16nF@25V
栅极电荷 11.1nC
最大功率耗散 74W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 80A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 PDFN-56
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

TSM055N03PQ56数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 TSM055N03PQ56 TSM055N03PQ56数据手册

TSM055N03PQ56封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 6.8947
625+ ¥ 6.7567
1250+ ¥ 6.6218
库存: 1633
起订量: 50 增量: 0
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 172.36
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336