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2SK1829

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 100mW 10V 20V 40Ω@ 2.5V 5.5pF@ 3V 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) 2SK1829

2SK1829概述


    产品简介


    产品名称:Toshiba 2SK1829 场效应晶体管
    类型及功能:
    2SK1829 是一款硅 N 沟道金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管。它适用于高速开关应用和模拟开关应用。
    主要功能:
    - 高速开关
    - 低阈值电压:Vth = 0.5 至 1.5 V
    - 增强模式
    - 小巧封装

    技术参数


    以下是 2SK1829 的关键技术规格:
    | 特性 | 符号 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 绝对最大额定值 |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 20 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | - | - | 10 | V |
    | 直流漏极电流 | ID | - | - | 50 | mA |
    | 漏极耗散功率 | PD | - | - | 100 | mW |
    | 通道温度 | Tch | - | - | 150 | °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 电气特性 |
    | 特性 | 符号 | 测试条件 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    ||
    | 栅泄漏电流 | IGSS | VGS=10V, VDS=0 | - | - | 1 | μA |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | ID=100μA, VGS=0 | 20 | - | - | V |
    | 截止漏极电流 | IDSS | VDS=20V, VGS=0 | - | - | 1 | μA |
    | 栅阈值电压 | Vth | VDS=3V, ID=0.1mA | 0.5 | - | 1.5 | V |
    | 正向转移导纳 | Yfs | VDS=3V, ID=10mA | 20 | - | - | mS |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | ID=10mA, VGS=2.5V | - | 20 | 40 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=3V, VGS=0, f=1MHz | - | 5.5 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | VDS=3V, VGS=0, f=1MHz | - | 1.6 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | VDS=3V, VGS=0, f=1MHz | - | 6.5 | - | pF |
    | 开启时间 | ton | VDD=3V, ID=10mA, VGS=0到2.5V | - | 0.14 | - | μs |
    | 关闭时间 | toff | VDD=3V, ID=10mA, VGS=0到2.5V | - | 0.14 | - | μs |

    产品特点和优势


    - 低阈值电压: 使得其在较低的栅极驱动电压下就能正常工作。
    - 高频率响应: 适合高频应用,能够实现快速开关。
    - 增强模式设计: 更易于控制,简化电路设计。
    - 小巧封装: 有助于减小整体系统尺寸,便于集成到小型化设备中。

    应用案例和使用建议


    2SK1829 通常用于高速开关应用和模拟开关应用。例如,在需要快速响应的应用中,如电源转换、信号调节等领域。
    使用建议:
    - 确保正确的栅极驱动电压,以确保其在所需的工作条件下稳定运行。
    - 在高频应用中,需注意输入电容、输出电容和反向转移电容的影响,以避免不必要的寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 2SK1829 具有标准 JEDEC 和 JEITA 封装,可轻松与其他通用集成电路兼容。
    - 技术支持: 产品制造商 TOSHIBA 提供相关文档、测试报告和可靠性数据,以帮助用户更好地了解产品的性能和使用限制。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过载时可靠性下降
    - 解决方案: 设计时需考虑降额设计,确保长期稳定性。参考 TOSHIBA 半导体可靠性手册中的 “处理注意事项” 和 “降额概念及方法”。
    - 问题 2:静电敏感
    - 解决方案: 使用防静电保护措施,例如佩戴防静电手环。

    总结和推荐


    2SK1829 是一款高性能的 N 沟道 MOS 场效应晶体管,适用于多种应用场合,特别是在需要高频率响应和紧凑设计的领域。其独特的低阈值电压、高频率响应和增强模式设计使其在市场上具有较强的竞争力。因此,对于需要高可靠性和高性能的应用场景,强烈推荐使用此产品。

2SK1829参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40Ω@ 2.5V
最大功率耗散 100mW
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.5pF@ 3V
安装方式 贴片安装

2SK1829厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

2SK1829数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA 2SK1829 2SK1829数据手册

2SK1829封装设计

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