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2SK2963

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 1.5W 20V 6.3nC@ 10V 1个N沟道 100V 700mΩ@ 10V 140pF@ 10V SC-62-3 贴片安装 4.6mm*2.5mm*1.6mm
供应商型号: MIK-2SK2963
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) 2SK2963

2SK2963概述

    2SK2963 Field Effect Transistor 技术手册

    产品简介


    2SK2963 是东芝(TOSHIBA)公司生产的N沟道MOS场效应晶体管(L2-π-MOS V型),主要用于DC-DC转换器、继电器驱动及电机驱动等领域。这款晶体管具有高开关速度、低导通电阻等特点,适用于需要高效、高速切换的应用场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压:VDSS = 100 V
    - 漏栅电压:VDGR = 100 V
    - 栅源电压:VGSS = ±20 V
    - 持续漏电流:ID = 1 A
    - 脉冲漏电流:IDP = 3 A
    - 漏极耗散功率:PD = 0.5 W(陶瓷板安装时为1.5 W)
    - 单次脉冲雪崩能量:EAS = 137 mJ
    - 雪崩电流:IAR = 1 A
    - 重复雪崩能量:EAR = 0.05 mJ
    - 结温:Tch = 150°C
    - 存储温度范围:Tstg = -55°C 至 150°C
    - 电气特性:
    - 栅泄漏电流:IGSS = ±10 μA(VGS = ±16 V,VDS = 0 V)
    - 漏极截止电流:IDSS = 100 μA(VDS = 100 V,VGS = 0 V)
    - 漏源击穿电压:(BR)DSS = 100 V(ID = 10 mA,VGS = 0 V)
    - 栅阈值电压:Vth = 0.8 至 2.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
    - 漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.5 Ω(VGS = 10 V,ID = 0.5 A)
    - 前向转移导纳:|Yfs| = 1.2 S(VDS = 10 V,ID = 0.5 A)
    - 输入电容:Ciss = 140 pF(VDS = 10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 反向传输电容:Crss = 20 pF(VDS = 10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 输出电容:Coss = 45 pF(VDS = 10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz)
    - 热特性:
    - 热阻:Rth(ch-a) = 250°C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为0.5 Ω,确保了较低的功耗和较高的效率。
    - 高前向传输导纳:典型值为1.2 S,提高了电路的开关性能。
    - 低漏电流:最大值为100 μA,保证了良好的开关性能和稳定性。
    - 增强模式:栅阈值电压范围为0.8至2.0 V,适合不同应用需求。
    - 高可靠性和长寿命:设计上考虑了严格的温度和电压限制,确保长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    2SK2963常用于DC-DC转换器、继电器驱动及电机驱动系统中。例如,在DC-DC转换器中,它能够提供快速的开关性能,同时保持低功耗。在使用时,应注意避免长期处于高负荷状态,以减少可靠性降低的风险。此外,为保证最佳性能,建议根据实际应用场景调整驱动电压和电流,例如,在高电压应用中适当增加栅极电阻,减缓开关速度,以降低损耗。

    兼容性和支持


    2SK2963可与其他常见的电子元器件兼容,适用于各种标准接口。东芝提供了详尽的技术支持文档和可靠性测试报告,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下器件失效。
    - 解决方案: 确保使用过程中不超过最大额定结温(150°C),必要时采用散热措施。
    - 问题: 开关频率过高导致损耗增大。
    - 解决方案: 减少开关频率或增加栅极电阻,减缓开关速度。

    总结和推荐


    总体来看,2SK2963是一款性能优异的N沟道MOS场效应晶体管,尤其适合于要求高效率、高开关速度的应用场景。其低导通电阻和高前向传输导纳使其在DC-DC转换器、继电器驱动及电机驱动中表现出色。尽管使用时需注意相关限制条件,但只要合理设计和使用,该产品仍能提供卓越的性能表现。因此,强烈推荐给需要高效、可靠的MOSFET解决方案的工程师和设计师。

2SK2963参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 140pF@ 10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 6.3nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 1.5W
长*宽*高 4.6mm*2.5mm*1.6mm
通用封装 SC-62-3
安装方式 贴片安装

2SK2963厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

2SK2963数据手册

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2SK2963封装设计

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