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TPHR9003NL,L1Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 1.6W(Ta),78W(Tc) 20V 2.3V@1mA 74nC@ 10 V 1个N沟道 30V 900μΩ@ 30A,10V 60A 6.9nF@15V SOP 贴片安装 5mm*5mm*950μm
供应商型号: TPHR9003NL,L1Q
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPHR9003NL,L1Q

TPHR9003NL,L1Q概述

    TPHR9003NL MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TPHR9003NL 是一款由东芝半导体(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)生产的 N 沟道 MOSFET(U-MOS-H)。它被广泛应用于开关电压调节器和 DC-DC 转换器等领域。这款 MOSFET 具备高速开关能力,具有低导通电阻和低漏电流的特点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是 TPHR9003NL 的关键技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏极电流 (ID): 220 mA (直流)
    - 功率耗散 (PD): 2.8 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.6 J
    - 热特性
    - 结壳热阻 (Rth(ch-c)): 1.60 °C/W
    - 结环境热阻 (Rth(ch-a)): 44.6 °C/W
    - 电气特性
    - 门泄漏电流 (IGSS): ≤±0.1 μA
    - 漏源关断电流 (IDSS): ≤10 μA
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): ≥15 V
    - 栅阈值电压 (Vth): 1.3 V 至 2.3 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)): 1.1 mΩ(典型值)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 5300 pF(典型值)
    - 反向传输电容 (Crss): 130 pF(典型值)
    - 输出电容 (Coss): 2700 pF(典型值)
    - 开关时间 (tontf): 9.6 ns(典型值)
    - 关断时间 (toff): 15 ns(典型值)
    - 栅极充电特性
    - 总栅极电荷 (Qg): 74 nC(典型值)
    - 栅源电荷 (Qgs1): 32 nC(典型值)
    - 栅极开关电荷 (QSW): 16 nC(典型值)

    3. 产品特点和优势


    TPHR9003NL 的主要特点和优势如下:
    - 高速开关能力: 有助于实现高效的电源转换。
    - 低导通电阻: 最小为 1.1 mΩ(典型值),适合高电流应用。
    - 小栅极电荷: 仅为 16 nC(典型值),有助于减少开关损耗。
    - 低漏电流: 最大为 10 μA,确保在非导通状态下的稳定性。
    - 增强模式: 阈值电压范围为 1.3 V 至 2.3 V,保证良好的控制性能。

    4. 应用案例和使用建议


    TPHR9003NL 广泛应用于多种电力电子系统中,如开关电压调节器和 DC-DC 转换器。以下是一些具体的应用场景和使用建议:
    - 开关电压调节器: TPHR9003NL 的低导通电阻和高速开关能力使其成为理想的开关元件。
    - DC-DC 转换器: 由于其优秀的电气特性,该器件能够提供高效且稳定的电力转换。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免结温超过 150°C。
    - 在设计电路时,注意负载条件,确保不会长期处于重载状态。
    - 遵循东芝的可靠性手册进行设计验证和降额计算。

    5. 兼容性和支持


    TPHR9003NL 提供了两种封装选项:SOP Advance 和 SOP Advance(N),可根据需求选择。东芝公司提供相应的技术支持和可靠性数据,以确保产品在实际应用中的稳定性和可靠性。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题: 如何避免静电放电损坏?
    - 解决方案: 使用防静电措施,如接地和使用防静电手套。

    - 问题: 如何处理过高的结温?
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,避免长时间处于高温环境下运行。

    7. 总结和推荐


    TPHR9003NL MOSFET 在高速开关、低导通电阻和低漏电流方面表现出色,是开关电压调节器和 DC-DC 转换器的理想选择。建议在设计电源转换系统时选用此款 MOSFET,以提高系统的整体效率和可靠性。此外,建议用户严格按照东芝的可靠性手册进行设计和测试,以确保最佳性能和长久使用寿命。

TPHR9003NL,L1Q参数

参数
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.9nF@15V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@1mA
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 1.6W(Ta),78W(Tc)
栅极电荷 74nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 900μΩ@ 30A,10V
长*宽*高 5mm*5mm*950μm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TPHR9003NL,L1Q厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPHR9003NL,L1Q数据手册

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TPHR9003NL,L1Q封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 9.2303
10000+ ¥ 9.2303
15000+ ¥ 9.2303
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
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