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TK16E60W,S1VX

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 130W(Tc) 30V 3.7V@ 790µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 600V 190mΩ@ 7.9A,10V 15.8A 1.35nF@300V TO-220 通孔安装 10.16mm*4.45mm*15.1mm
供应商型号: TK16E60W,S1VX
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK16E60W,S1VX

TK16E60W,S1VX概述


    产品简介


    TK16E60W MOSFET
    TK16E60W 是一款由东芝公司生产的硅基N沟道MOSFET(采用DTMOS结构)。它主要用于开关电压调节器等应用,具备高性能的特性,适合于需要高效转换和控制的应用场景。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:600 V
    - 门源击穿电压:±30 V
    - 最大漏极电流(连续):15.8 A
    - 最大漏极电流(脉冲):63.2 A
    - 最大功耗:130 W
    - 单脉冲雪崩能量:194 mJ
    - 雪崩电流:4.0 A
    - 反向漏极电流(连续):15.8 A
    - 反向漏极电流(脉冲):63.2 A
    - 通道温度:-55°C 至 150°C
    - 绝对最大额定值
    - 最高漏源电压:600 V
    - 门源电压:±30 V
    - 电源电流(直流):15.8 A
    - 电源电流(脉冲):63.2 A
    - 功耗:130 W
    - 单脉冲雪崩能量:194 mJ
    - 雪崩电流:4.0 A
    - 反向漏极电流(直流):15.8 A
    - 反向漏极电流(脉冲):63.2 A
    - 通道温度:-55°C 至 150°C
    - 存储温度:-55°C 至 150°C
    - 安装扭矩:0.6 N·m
    - 热特性
    - 漏极至外壳热阻:0.962 °C/W
    - 漏极至环境热阻:83.3 °C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 典型值为0.16Ω,这归功于超级结结构(DTMOS)的运用。
    - 易于控制门控开关:具有良好的门极驱动特性。
    - 增强模式:门阈电压在2.7V至3.7V之间,适用于广泛的门源电压。
    - 可靠性和稳定性:通过严格的设计和测试,确保长期稳定运行。
    - 抗静电保护:处理时需小心,以防止静电放电对器件造成损害。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电压调节器
    - 高频逆变器
    - 工业控制系统
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意散热设计,避免因过热导致器件损坏。
    - 确保适当的门极驱动电路,以优化开关性能。
    - 为防止静电损坏,处理器件时需采取防静电措施。

    兼容性和支持


    - TK16E60W 支持标准的TO-220封装,可以方便地集成到现有的电子系统中。
    - 东芝提供详尽的技术支持和文档,包括产品手册和可靠性数据,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 设备在高温环境下运行时,功耗增加。
    - A: 请确保设备安装时充分考虑散热设计,如使用散热片或风扇来降低设备温度。

    2. Q: 在长时间高负载下,器件可靠性下降。
    - A: 请参照东芝半导体可靠性手册中的“降额概念和方法”,根据器件的工作条件进行适当的降额设计,以确保长期可靠性。
    3. Q: 如何保护器件免受静电损坏?
    - A: 处理器件时应佩戴防静电手环,确保工作台和工具具备良好接地,以减少静电影响。

    总结和推荐


    综合评估:
    - TK16E60W 具备出色的低导通电阻和良好的门控特性,使其成为开关电压调节器等应用的理想选择。
    - 超级结结构(DTMOS)的运用使得该器件在高频和大功率应用中表现出色。
    - 东芝提供了详尽的技术文档和支持,确保用户能够充分发挥其潜力。
    推荐使用:
    - TK16E60W 是一款高性能且可靠的N沟道MOSFET,非常适合用于要求高效的开关应用。由于其优秀的热管理和低损耗特性,它能够在各种工业和消费电子产品中发挥出色表现。强烈推荐在需要高效电力转换的应用中使用此器件。

TK16E60W,S1VX参数

参数
栅极电荷 38nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 130W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.35nF@300V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 7.9A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V@ 790µA
Id-连续漏极电流 15.8A
配置 独立式
长*宽*高 10.16mm*4.45mm*15.1mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

TK16E60W,S1VX厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK16E60W,S1VX数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TK16E60W,S1VX TK16E60W,S1VX数据手册

TK16E60W,S1VX封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 12.2455
100+ ¥ 12.2455
150+ ¥ 12.2455
库存: 50
起订量: 50 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
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型号 价格(含增值税)
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