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TPC8227-H,LQ(S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: Toshiba N沟道增强型MOS管 TPC系列, Vds=40 V, 5.1 A, SOP封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 7965128
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPC8227-H,LQ(S

TPC8227-H,LQ(S概述

    TPC8227-H MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    TPC8227-H 是一款硅基 N 沟道 MOSFET,属于 U-MOS®-H 系列。该产品主要用于直流-直流转换器和冷阴极荧光灯逆变器(CCFL Inverters)等应用领域。TPC8227-H 具有紧凑、轻薄的封装设计,能够提供高速开关能力,并且具备出色的电气特性和可靠性能。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 封装:SOP-8
    - 引脚分配:
    - 1, 3: 源极(Source)
    - 2, 4: 栅极(Gate)
    - 5, 6, 7, 8: 漏极(Drain)

    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏极电流 (ID): 5.1 A
    - 功率耗散 (PD): 1.5 W(单个器件),0.75 W(双个器件同时工作)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 24 mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 5.1 A
    - 最大通道温度 (Tch): 150°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 150°C
    - 热特性:
    - 单个器件的热阻 (Rth(ch-a)): 83.3°C/W
    - 静态电气特性:
    - 栅泄漏电流 (IGSS): ±0.1 μA
    - 漏源断开电流 (IDSS): ≤10 μA
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 40 V
    - 栅阈值电压 (Vth): 1.3 V 至 2.3 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)): 22 mΩ
    - 动态电气特性:
    - 输入电容 (Ciss): 640 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 35 pF
    - 输出电容 (Coss): 115 pF
    - 开关时间 (rise time): 1.7 ns
    - 关断时间 (turn-off time): 17 ns
    - 门充电特性:
    - 总门充电量 (Qg): 10 nC
    - 栅源电荷 (Qgs1): 5.3 nC
    - 栅源电荷 (Qgd): 2.0 nC
    - 门开关电荷 (QSW): 2.4 nC
    - 源漏特性:
    - 脉冲反向漏电流 (IDRP): 20.4 A
    - 二极管正向电压 (VDSF): -1.2 V

    产品特点和优势


    - 小型化设计:采用 SOP-8 封装,适合空间有限的应用场景。
    - 高效率开关:具备低栅源电荷(QSW = 2.4 nC)和低导通电阻(RDS(ON) = 22 mΩ)特性,有助于提高电路整体能效。
    - 良好的温度特性:允许最高通道温度为 150°C,适合高温环境下使用。
    - 增强模式操作:阈值电压范围为 1.3 V 至 2.3 V,易于驱动。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 直流-直流转换器:适用于需要高效转换的电源管理场景。
    - 冷阴极荧光灯逆变器:提供高频率、快速响应的驱动能力,适合照明系统。
    - 使用建议:
    - 在设计时应考虑散热措施,确保通道温度不超过 150°C。
    - 使用合适的 PCB 板材,如玻璃环氧板,以减少热阻。
    - 在高负载条件下使用时,应注意产品的可靠性,建议参考 Toshiba 的可靠性手册进行设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:TPC8227-H 与多种应用场合兼容,适用于多种电路设计。具体应用时,需根据电路需求选择合适的封装和连接方式。
    - 支持:客户可以联系 Toshiba 销售代表获取详细的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间高负载运行可能导致产品可靠性下降。
    - 解决方案:设计时需考虑散热措施,并参考 Toshiba 的可靠性手册进行可靠性设计。
    - 问题:产品的绝对最大额定值可能限制其应用范围。
    - 解决方案:了解并遵守产品的额定值要求,在设计时合理选择工作条件。

    总结和推荐


    TPC8227-H 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,具有高效率、高可靠性等特点,特别适用于直流-直流转换器和冷阴极荧光灯逆变器等应用场合。鉴于其在高性能电路设计中的潜力,强烈推荐使用。不过,在实际应用中仍需注意产品的工作条件,确保其在最佳状态下运行。

TPC8227-H,LQ(S参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 640pF@ 10V
最大功率耗散 1.5W
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 10nC@ 10V,5.3nC@ 5V
Id-连续漏极电流 5.1A
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 4.4mm(宽度)*1.5mm(高度)
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装

TPC8227-H,LQ(S厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPC8227-H,LQ(S数据手册

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TPC8227-H,LQ(S封装设计

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