处理中...

首页  >  产品百科  >  TK31J60W,S1VE(S

TK31J60W,S1VE(S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 230W 3.7V 86nC@ 10 V 1个N沟道 600V 88mΩ 30.8A TO-3P 通孔安装 20mm(高度)
供应商型号: TK31J60W,S1VE(S
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK31J60W,S1VE(S

TK31J60W,S1VE(S概述


    产品简介


    TK31J60W MOSFET(硅N沟道DTMOS) 是一款由东芝半导体生产的功率金属氧化物场效应晶体管。该产品适用于开关电压调节器等应用领域,具备低导通电阻、易于控制的栅极开关以及增强模式操作等特点。其独特的Super Junction结构使其在高效率转换应用中表现优异,成为众多工业和消费电子产品的重要组成部分。

    技术参数


    - 最大电压:漏源击穿电压 \( V{DSS} \) = 600 V
    - 栅源电压:\( V{GSS} \) = ±30 V
    - 最大漏电流:连续 \( ID \) = 30.8 A,脉冲 \( I{DP} \) = 123 A
    - 最大功耗:\( PD \) = 230 W
    - 反向漏电流:连续 \( I{DR} \) = 30.8 A,脉冲 \( I{DRP} \) = 123 A
    - 最大温度:通道温度 \( T{ch} \) = 150℃,存储温度 \( T{stg} \) = -55℃到150℃
    - 热阻抗:通道到外壳热阻 \( R{th(ch-c)} \) = 0.543℃/W,通道到环境热阻 \( R{th(ch-a)} \) = 50℃/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为 \( R{DS(ON)} \) = 0.073 Ω,有助于减少功耗和提高效率。
    - 易于控制的栅极开关:便于进行快速和精确的信号处理。
    - 增强模式操作:阈值电压 \( V{th} \) 为2.7至3.7 V,适合于多种电源管理应用场景。
    - Super Junction结构:结合DTMOS技术,显著提升导电性能和耐压能力。

    应用案例和使用建议


    - 开关电压调节器:作为高频开关电路的关键组件,帮助实现高效稳定的电压输出。
    - 电动工具:由于其高功率密度和高效能,可用于各种电动工具中,如电钻和割草机。
    - 使用建议:确保负载均衡和散热良好,避免长时间过载使用,以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    - 封装类型:采用标准的TO-3P(N)封装,易于集成到现有设计中。
    - 支持服务:提供详细的可靠性手册和失效率数据,帮助设计者合理选择使用条件。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品能否在高温环境中工作?
    - A: 可以,但需确保通道温度不超过150℃,并参考相关可靠性手册进行设计。

    - Q: 如何避免静电放电对产品的损坏?
    - A: 使用时需小心谨慎,确保所有设备接地,并使用防静电包装材料储存和运输。

    总结和推荐


    综上所述,TK31J60W MOSFET 以其出色的导电性能和易于控制的特点,在开关电压调节器等应用中表现出色。其卓越的耐压能力和高效率使其在市场上具有强大的竞争力。然而,考虑到其较高的功耗和特定的应用环境要求,用户在使用时应仔细阅读技术手册,确保正确应用以充分发挥其潜力。因此,推荐在合适的应用场景中使用此产品。

TK31J60W,S1VE(S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 88mΩ
Id-连续漏极电流 30.8A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 230W
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 86nC@ 10 V
长*宽*高 20mm(高度)
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装

TK31J60W,S1VE(S厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK31J60W,S1VE(S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TK31J60W,S1VE(S TK31J60W,S1VE(S数据手册

TK31J60W,S1VE(S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 56500
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0