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TPN1600ANH,L1Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 700mW(Ta),42W(Tc) 20V 4V@ 200µA 19nC@ 10 V 1个N沟道 100V 16mΩ@ 8.5A,10V 17A 1.6nF@50V 贴片安装 3.1mm*3.1mm*850μm
供应商型号: TPN1600ANH,L1Q
供应商: Avnet
标准整包数: 5000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q概述

    # TPN1600ANH N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    TPN1600ANH 是一款由东芝电子设备及存储系统公司生产的硅基 N 沟道 MOSFET(U-MOS-H)。该产品广泛应用于直流到直流转换器、开关电压调节器和电机驱动等领域。其紧凑的设计使其非常适合用于高密度电路板的应用场景。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压:VDSS = ±100 V
    - 栅源电压:VGSS = ±20 V
    - 持续漏电流(DC):ID = 36 A
    - 脉冲漏电流(单脉冲):ID = 80 A
    - 功率耗散(Tc=25°C):PD = 1.9 W
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 96 mJ
    - 雪崩电流:IAR = 17 A
    - 结温:Tch = 150°C
    - 存储温度范围:Tstg = -55°C 至 150°C
    热特性
    - 结至外壳热阻:Rth(ch-c) = 2.97°C/W
    - 结至环境热阻(Tc=25°C):Rth(ch-a) = 65.7°C/W
    电气特性
    - 栅极泄漏电流:IGSS ≤ ±0.1 μA
    - 截止电流:IDSS ≤ 10 μA
    - 击穿电压:V(BR)DSS ≥ 65 V
    - 栅阈值电压:Vth = 2.0 to 4.0 V
    - 漏源导通电阻(典型值):RDS(ON) = 13 mΩ
    动态特性
    - 输入电容:Ciss = 1230 pF(最小值)
    - 反向传输电容:Crss = 18 pF(典型值)
    - 输出电容:Coss = 220 pF(最小值)
    - 开关时间(上升时间):tr = 5.0 ns(典型值)
    栅极充电特性
    - 总栅极充电量(栅极源极加上栅极漏极):Qg = 19 nC(典型值)
    - 栅极源极充电量:Qgs1 = 6.3 nC(典型值)

    产品特点和优势


    TPN1600ANH 的主要特点和优势如下:
    - 小型、薄型封装:适合高密度电路板。
    - 高速开关:适用于需要快速响应的应用场景。
    - 低栅极电荷:QSW = 7.4 nC(典型值),有助于减少功耗和提高效率。
    - 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 13 mΩ(典型值),提升电路的整体效率。
    - 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值),确保在非导通状态下的低功耗。
    - 增强模式:提供更稳定的工作特性。
    这些特点使 TPN1600ANH 在各种应用中具有显著的竞争优势,尤其是在需要高效能和可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    TPN1600ANH 主要应用于以下场景:
    - 直流到直流转换器
    - 开关电压调节器
    - 电机驱动器
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意散热管理,确保结温不超过 150°C。
    - 使用玻璃-环氧板进行安装,可以有效降低热阻。
    - 为避免静电损坏,应小心处理该器件。

    兼容性和支持


    TPN1600ANH 可以与多种电子元件和其他设备兼容,具体信息可参考制造商提供的文档。东芝公司提供详细的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确保结温不超过 150°C?
    - 解决方案:采用适当的散热措施,如散热片或强制风冷,确保器件工作在安全范围内。
    2. 如何处理静电敏感问题?
    - 解决方案:在处理器件时,采取防静电措施,如佩戴防静电手环或使用防静电包装材料。

    总结和推荐


    TPN1600ANH 是一款高性能、可靠的 N 沟道 MOSFET,适合多种应用场合。其独特的功能如小型封装、低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性使其在市场上具备显著的竞争优势。对于需要高效能和可靠性的应用,我们强烈推荐使用 TPN1600ANH。
    以上是对 TPN1600ANH 技术手册的全面解析,希望对您的选型和应用有所帮助。

TPN1600ANH,L1Q参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.6nF@50V
Id-连续漏极电流 17A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 8.5A,10V
配置 独立式quaddrain
栅极电荷 19nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 200µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 700mW(Ta),42W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
长*宽*高 3.1mm*3.1mm*850μm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TPN1600ANH,L1Q厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPN1600ANH,L1Q数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TPN1600ANH,L1Q TPN1600ANH,L1Q数据手册

TPN1600ANH,L1Q封装设计

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