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TPN11006PL,LQ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 610mW(Ta),61W(Tc) 20V 2.5V@ 200µA 17nC@ 10 V 1个N沟道 60V 11.4mΩ@ 13A,10V 26A 1.625nF@30V TSON-8 贴片安装
供应商型号: 264-TPN11006PLLQTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPN11006PL,LQ

TPN11006PL,LQ概述

    # TPN11006PL N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TPN11006PL 是一种高性能的硅基 N 沟道 MOSFET(U-MOS-H),属于东芝公司的产品线之一。它主要用于高效率直流-直流转换器、开关稳压器和电机驱动等应用场景。TPN11006PL 具有极低的导通电阻(RDS(ON))、快速开关速度及超低的漏源关断电流(IDSS),使其成为电源管理领域的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格范围 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | ±20 | V |
    | 漏源电压 | 60 | V |
    | 漏极电流(连续) | 26 | A |
    | 漏极电流(脉冲) | 54 | A |
    | 总功率耗散 | 119 | W |
    | 热阻(通道至环境) | 245 | °C/W |
    | 额定雪崩能量 | 14 | mJ |
    | 最大工作温度 | 175 | °C |
    | 封装 | TSON Advance
    动态特性
    - 输入电容 (Ciss):1250–1625 pF
    - 输出电容 (Coss):225 pF
    - 反向传输电容 (Crss):25 pF
    开关时间
    - 开启时间 (tont):2.7 ns
    - 关闭时间 (toff):3.8 ns
    栅极电荷
    - 总栅极电荷 (Qg):17 nC
    - 栅极开关电荷 (QSW):5.8 nC
    - 输出电荷 (Qoss):14.4 nC

    3. 产品特点和优势


    1. 高速开关性能:得益于优化的内部结构设计,TPN11006PL 在开关应用中表现出卓越的速度,从而降低开关损耗并提升系统效率。
    2. 低导通电阻 (RDS(ON)):典型值仅为 8.8 mΩ @ 10 V VGS,显著降低了导通损耗。
    3. 小电荷存储:总栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss 分别为 17 nC 和 14.4 nC,适合高频应用。
    4. 低漏电流:最大漏源关断电流 (IDSS) 为 10 µA @ 60 V,保证了电路的稳定性和可靠性。
    5. 增强模式设计:阈值电压 (Vth) 范围为 1.5–2.5 V,便于开关控制和信号处理。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高效率 DC-DC 转换器:由于 TPN11006PL 的低损耗和快速开关特性,非常适合用于需要高效能的 DC-DC 转换器中。
    - 电机驱动器:其出色的耐压能力和快速响应使其成为电机驱动的理想选择。
    - 开关稳压器:低 RDS(ON) 特性有助于降低功耗,实现更长的电池寿命。
    使用建议
    - 确保设计时留出足够的热管理措施以防止过温现象。
    - 在高频应用中,注意 PCB 布局以减少寄生电感和电容的影响。
    - 使用低压驱动以提高开关效率并减少发热。

    5. 兼容性和支持


    TPN11006PL 支持广泛的应用场景,并且与多种控制器芯片兼容。东芝公司提供详细的技术支持文档、应用指南以及样品评估服务,帮助客户更快地完成产品设计和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确保 VGS > 阈值电压,检查焊点质量 |
    | 温度上升异常 | 添加散热片或优化 PCB 散热设计 |
    | 开关噪声较大 | 增加输入电容以平滑输入电压波动 |

    7. 总结和推荐


    TPN11006PL 是一款极具竞争力的 N 沟道 MOSFET,其高性能和多功能性使其成为电源管理和电机驱动领域的优秀选择。尽管其价格可能略高于同类产品,但其卓越的性能和可靠性确保了最佳的整体价值。因此,强烈推荐在需要高效率和低损耗的应用中采用此产品。
    最终评分:★★★★☆(4/5 星)

TPN11006PL,LQ参数

参数
Id-连续漏极电流 26A
Rds(On)-漏源导通电阻 11.4mΩ@ 13A,10V
最大功率耗散 610mW(Ta),61W(Tc)
栅极电荷 17nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 200µA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.625nF@30V
通用封装 TSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TPN11006PL,LQ厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPN11006PL,LQ数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TPN11006PL,LQ TPN11006PL,LQ数据手册

TPN11006PL,LQ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.2996 ¥ 2.5077
6000+ $ 0.2765 ¥ 2.3143
15000+ $ 0.2613 ¥ 2.1868
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