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TK33S10N1Z,LQ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 500µA 28nC@ 10 V 1个N沟道 100V 9.7mΩ@ 16.5A,10V 33A 2.05nF@10V DPAK 贴片安装 6.5mm*5.5mm*2.3mm
供应商型号: 757-TK33S10N1ZLQ
供应商: Mouser
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ概述


    产品简介


    产品名称:TK33S10N1Z
    产品类型:MOSFETs (U-MOS®-H)
    主要功能:
    - 作为N沟道硅场效应晶体管(N-channel Silicon MOSFET),适用于多种功率控制场合。
    应用领域:
    - 汽车电子
    - 开关电压调节器
    - 电机驱动

    技术参数


    1. 工作参数:
    - 栅极-源极电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏极电流 (ID): 33 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDP): 99 A
    - 功率耗散 (PD): 66.5 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 33 mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 33 A
    - 节流率 (dVDS/dt): 8.4 V/ns
    - 通道温度 (Tch): 175°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 至 175°C
    2. 热特性:
    - 热阻 (Rth(ch-c)): 1.2°C/W
    3. 电气特性:
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)): 8.2 mΩ (典型值)
    - 门泄漏电流 (IGSS): ±10 μA
    - 漏极截止电流 (IDSS): 10 μA (最大值)
    - 栅极阈值电压 (Vth): 2.0 V 至 4.0 V
    - 输入电容 (Ciss): 2050 pF (典型值)
    - 反向转移电容 (Crss): 140 pF (典型值)
    - 输出电容 (Coss): 1070 pF (典型值)
    - 总栅极电荷 (Qg): 28 nC (典型值)
    4. 源漏特性:
    - 反向漏极电流 (IDR): 56 A (典型值)
    - 二极管正向电压 (VDSF): -1.2 V (典型值)
    - 反向恢复时间 (trr): 90 ns (典型值)
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 33 nC (典型值)

    产品特点和优势


    1. AEC-Q101认证:
    - 确保产品符合汽车电子质量标准,适用于汽车电子领域。
    2. 低漏源导通电阻:
    - RDS(ON) = 8.2 mΩ (典型值),有助于降低功耗和提高效率。
    3. 低漏电流:
    - IDSS = 10 μA (最大值),保证高可靠性。
    4. 增强模式操作:
    - Vth = 2.0 V 至 4.0 V (典型值),便于集成到各种电路中。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车电子:用于车身控制系统,如电动助力转向系统、车身稳定系统等。
    - 开关电压调节器:广泛应用于电源转换和稳压系统中。
    - 电机驱动:适用于各种电机控制系统,提供高效稳定的驱动能力。
    使用建议:
    - 散热设计:确保良好的散热措施,避免过热。使用合适的散热片,可以有效提高器件的可靠性。
    - 驱动电路:设计适当的驱动电路,以减少开关损耗。例如,使用较低的栅极电阻 (RGS) 和栅极钳位电阻 (RGG) 可以加速开关过程。
    - 避免过压:注意避免VDS超过VDSS,特别是在大电流和高频条件下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种标准封装和电路板设计,与其他常见的电子元器件具有良好的兼容性。
    - 支持:提供详细的文档和应用指南,以及厂商的技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度范围受限。
    - 解决方案:确保电路设计中包含有效的散热措施,并参考《Toshiba Semiconductor Reliability Handbook》以获得详细指导。
    2. 问题:开关速度不够快。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,使用更低的栅极电阻 (RGS) 和栅极钳位电阻 (RGG),并选择合适的栅极驱动器。
    3. 问题:可靠性下降。
    - 解决方案:定期进行可靠性和老化测试,根据Toshiba Semiconductor Reliability Handbook进行预防性维护。

    总结和推荐


    总结:
    - 主要优点:AEC-Q101认证,低RDS(ON),高可靠性,广泛的应用范围。
    - 推荐使用:特别适用于汽车电子、电源管理及电机驱动等领域,是高效的N沟道硅MOSFET产品。
    结论:
    - 推荐指数:★★★★★
    - 推荐理由:高性能、高可靠性,适用于多种复杂应用,是值得信赖的选择。

TK33S10N1Z,LQ参数

参数
最大功率耗散 125W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 9.7mΩ@ 16.5A,10V
Id-连续漏极电流 33A
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 500µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.05nF@10V
栅极电荷 28nC@ 10 V
配置 独立式
通道数量 1
长*宽*高 6.5mm*5.5mm*2.3mm
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TK33S10N1Z,LQ厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

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TK33S10N1Z,LQ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.0585 ¥ 17.3943
10+ $ 1.4145 ¥ 11.9525
100+ $ 1.0649 ¥ 8.9982
250+ $ 0.9828 ¥ 8.3047
500+ $ 0.8921 ¥ 7.5381
1000+ $ 0.7646 ¥ 6.4612
2000+ $ 0.7056 ¥ 5.9623
4000+ $ 0.6794 ¥ 5.7405
10000+ $ 0.6636 ¥ 5.6074
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