处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK1382

2SK1382

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 200W 20V 176nC@ 10V 100V 20mΩ@ 10V 7nF@ 10V TO-3P
供应商型号: LDL-2SK1382
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) 2SK1382

2SK1382概述

    2SK1382 N 沟道 MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK1382 是东芝公司生产的场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET),属于硅N沟道MOS型(L2−π−MOSIII)。它主要用于继电器驱动、电机驱动和直流-直流转换器等领域。2SK1382 具备低栅极驱动电压(4-V)、低导通电阻(15 mΩ)和高前向传输电纳(47 S)等特点,适用于需要高效能和稳定性的电路设计。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的技术参数及性能指标:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:VDSS = 100 V
    - 漏栅电压(RGS = 20 kΩ):VDGR = 100 V
    - 栅源电压:VGSS = ±20 V
    - 持续漏电流:ID = 60 A
    - 脉冲漏电流:IDP = 240 A
    - 漏极耗散功率(Tc = 25°C):PD = 200 W
    - 通道温度:Tch = 150 °C
    - 存储温度范围:Tstg = -55 to 150 °C
    - 热特性
    - 热阻,通道到外壳:Rth(ch-c) = 0.625 °C/W
    - 热阻,通道到环境:Rth(ch-a) = 35.7 °C/W
    - 电气特性(Ta = 25°C)
    - 栅漏电流:IGSS = ±100 nA
    - 漏源截止电流:IDSS = 100 μA
    - 漏源击穿电压:(BR)DSS = 100 V
    - 栅阈电压:Vth = 0.8 to 2.0 V
    - 漏源导通电阻:RDS(ON) = 15 mΩ
    - 前向传输电纳:|Yfs| = 47 S
    - 输入电容:Ciss = 7000 pF
    - 反向传输电容:Crss = 400 pF
    - 输出电容:Coss = 2700 pF
    - 上升时间:tr = 16 ns
    - 开启时间:ton = 55 ns
    - 下降时间:tf = 80 ns
    - 关闭时间:toff = 280 ns
    - 总栅电荷:Qg = 176 nC
    - 栅源电荷:Qgs = 132 nC
    - 栅源电荷(米勒电荷):Qgd = 44 nC

    产品特点和优势


    2SK1382 的主要特点包括:
    - 低导通电阻(15 mΩ):适合高频开关应用,降低损耗。
    - 高前向传输电纳(47 S):增强放大能力。
    - 低泄漏电流(100 μA):减少静态功耗。
    - 增强模式(0.8至2.0 V):方便栅极驱动,简化电路设计。
    这些特点使得2SK1382 在继电器驱动、电机驱动和直流-直流转换器等应用中表现出色,具备较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    - 继电器驱动:适用于各种继电器控制,如工业控制系统中的接触器驱动。
    - 电机驱动:可作为逆变器或马达控制器的关键组件。
    - 直流-直流转换器:高效地进行电压转换,适用于电源管理系统。
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,避免因过热导致性能下降。
    - 在应用时遵循东芝半导体可靠性手册中的指导原则,以确保长期稳定性。

    兼容性和支持


    2SK1382 支持 RoHS标准,符合环保要求。东芝公司提供相关的技术支持和文档资料,帮助客户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间高负荷运行导致可靠性下降。
    - 解决方案:遵循东芝半导体可靠性手册中的指导原则,设计合理的散热系统和降额使用。

    - 问题2:温度过高导致性能不稳定。
    - 解决方案:确保通道温度不超过150°C,采取有效的散热措施。

    总结和推荐


    总体而言,2SK1382 是一款高性能、高可靠性的场效应晶体管,适用于多种高效率电路设计。虽然其成本相对较高,但其优秀的性能和稳定性使其成为关键应用的理想选择。强烈推荐给对性能和可靠性有高要求的设计工程师。
    如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系您的东芝销售代表。

2SK1382参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7nF@ 10V
最大功率耗散 200W
栅极电荷 176nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
FET类型 -
通用封装 TO-3P

2SK1382厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

2SK1382数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA 2SK1382 2SK1382数据手册

2SK1382封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 20.891 ¥ 175.0666
库存: 75
起订量: 32 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 175.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504