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TPH3300CNH,L1Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 1.6W(Ta),57W(Tc) 20V 4V@ 300µA 10.6nC@ 10 V 1个N沟道 150V 33mΩ@ 9A,10V 18A 1.1nF@75V SOP 贴片安装 5mm*5mm*950μm
供应商型号: TS-TPH3300CNH,L1Q
供应商: 海外现货
标准整包数: 5000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPH3300CNH,L1Q

TPH3300CNH,L1Q概述

    TPH3300CNH MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TPH3300CNH 是一款采用U-MOSⅢ-H工艺的N沟道硅场效应晶体管(MOSFET),由东芝半导体生产。它适用于高效率的直流-直流转换器和开关电压调节器。该产品广泛应用于电源管理领域,为各类电子产品提供高效能、低损耗的电源解决方案。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压:150 V
    - 栅源电压:±20 V
    - 漏极电流(连续):29 A
    - 漏极电流(脉冲):61 A
    - 功率耗散(t = 10 s):57 W
    - 单脉冲雪崩能量:53 mJ
    - 雪崩电流:18 A
    - 结温:150 °C
    - 存储温度:-55°C 至 150°C
    热特性:
    - 结到外壳的热阻:2.19 °C/W
    - 结到环境的热阻:44.6 °C/W (Tc = 25°C)
    - 结到环境的热阻(t = 10 s):78.1 °C/W
    静态特性(Ta = 25°C):
    - 栅漏电流:≤ 0.1 µA
    - 漏极关断电流:≤ 10 µA
    - 漏源击穿电压:≥ 150 V
    - 栅阈值电压:2.0 V 至 4.0 V
    - 漏源导通电阻:28 mΩ(典型值)
    动态特性(Ta = 25°C):
    - 输入电容:810 pF(典型值)
    - 反向转移电容:3 pF(典型值)
    - 输出电容:140 pF(典型值)
    - 开关时间(上升时间):5.8 ns(典型值)
    - 开关时间(导通时间):16 ns(典型值)
    - 开关时间(下降时间):5.1 ns(典型值)
    - 开关时间(关断时间):17 ns(典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 高速开关:该MOSFET具备高速开关能力,可显著减少功耗。
    - 小栅极电荷:典型的栅极电荷仅为4.5 nC,有助于提升系统效率。
    - 低导通电阻:漏源导通电阻仅为28 mΩ(VGS = 10 V),保证了高效的电力传输。
    - 低漏电流:漏极漏电流仅为10 µA(VDS = 150 V),提高了系统的稳定性。
    - 增强模式:阈值电压范围为2.0至4.0 V,确保可靠的操作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于高效率的直流-直流转换器和开关电压调节器,尤其适合需要快速响应的应用。
    使用建议:
    - 在使用时确保电路设计能够承受高压、大电流的情况,以避免过载。
    - 设计散热系统,以保持结温低于150°C。
    - 考虑采用合适的电路布局来降低杂散电感和电容的影响,提高系统的整体性能。

    5. 兼容性和支持


    TPH3300CNH 具有良好的兼容性,可以与大多数直流-直流转换器和开关电压调节器配合使用。东芝半导体提供全面的技术支持和维护服务,包括可靠性测试报告和估计的失效率等数据。客户可以在其网站上查找更多资源和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问:产品温度过高怎么办?
    - 答: 确保使用适当的散热措施,避免产品过热。可以通过增加散热片或风扇来改善散热效果。
    - 问:如何防止静电损坏?
    - 答: 在操作过程中应采取防静电措施,如佩戴防静电手环。
    - 问:产品出现故障怎么办?
    - 答: 参考东芝半导体提供的技术支持和维修服务,或者联系当地的东芝销售代表寻求帮助。

    7. 总结和推荐


    TPH3300CNH MOSFET凭借其卓越的性能参数、低导通电阻和高速开关能力,在高效率电源管理系统中表现出色。对于需要高效率和高性能的工程师来说,这款产品是理想的选择。然而,使用时需要注意散热管理和静电保护,以确保长期稳定运行。总体而言,TPH3300CNH是一款值得推荐的产品,尤其是在电源管理应用中。
    以上是对TPH3300CNH MOSFET 的详细介绍,希望对您有所帮助。

TPH3300CNH,L1Q参数

参数
栅极电荷 10.6nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@75V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@ 9A,10V
最大功率耗散 1.6W(Ta),57W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 150V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 300µA
长*宽*高 5mm*5mm*950μm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TPH3300CNH,L1Q厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPH3300CNH,L1Q数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q数据手册

TPH3300CNH,L1Q封装设计

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