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2SK3799(Q,M)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 50KW 30V 60nC@ 10V 1个N沟道 900V 1.3Ω@ 10V 8A 2.2nF@ 25V TO-220 通孔安装 10mm*4.5mm*15mm
供应商型号: 2SK3799
供应商: TME
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) 2SK3799(Q,M)

2SK3799(Q,M)概述

    2SK3799 场效应晶体管技术手册

    1. 产品简介


    2SK3799 是东芝公司生产的一款场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),采用N沟道硅材料制成,属于π-MOSIV型。这款晶体管主要应用于开关调节器,具有低导通电阻、高前向传递电导、低漏电流和增强模式等特点。其主要功能是控制电路中的电流流动,通过调整电压来实现高效的电源转换。

    2. 技术参数


    基本电气特性:
    - 最大源漏电压 \( V{DSS} \): 900 V
    - 漏极-栅极电压 \( V{DGR} \): 900 V
    - 栅极-源极电压 \( V{GSS} \): ±30 V
    - 漏极连续电流 \( ID \): 8 A
    - 单脉冲漏极电流 \( I{DP} \): 24 A
    - 漏极耗散功率 \( PD \): 50 W (Tc = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 1080 mJ
    - 雪崩电流 \( I{AR} \): 8 A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 5 mJ
    - 通道温度 \( T{ch} \): 150°C
    绝对最大额定值:
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C 至 150°C
    热特性:
    - 热阻,通道至外壳 \( R{th(ch-c)} \): 2.5 °C/W
    - 热阻,通道至环境 \( R{th(ch-a)} \): 62.5 °C/W
    动态输入/输出特性:
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 60 nC
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2200 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 45 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 190 pF (VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)

    3. 产品特点和优势


    优势分析:
    - 低导通电阻: \( R{DS(ON)} = 1.0 \Omega \) (典型值)
    - 高前向传递电导: \( |Y{fs}| = 6.0 S \) (典型值)
    - 低漏电流: \( I{DSS} = 100 \mu A \) (最大值)(VDS = 720 V)
    - 增强模式: \( V{th} = 2.0 \) 到 \( 4.0 V \) (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
    这些特性使得2SK3799非常适合用于需要高效率和可靠性的电力系统中,如开关电源、电机驱动和其他电力转换设备。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关调节器应用:2SK3799可以用于各种类型的开关电源,提供高效的电力转换,适合在宽输入电压范围内运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保漏极温度不超过150°C,以避免可靠性降低。
    - 使用适当的散热设计,以降低热阻,提高器件的使用寿命。
    - 注意栅极静电放电保护,确保器件安全。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 2SK3799适用于与标准JEDEC和JEITA封装兼容的电路板设计。
    支持:
    - 东芝公司提供详细的技术手册和支持文档,帮助用户进行设计和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法:
    - Q: 漏极电流过高如何处理?
    - A: 确保负载不超过器件的最大额定值,并采用有效的散热措施。
    - Q: 栅极-源极电压超出规定范围怎么办?
    - A: 请确保在规定的电压范围内使用器件,并遵循安全操作规范。
    - Q: 设备过热如何处理?
    - A: 检查散热设计,必要时增加散热片或风扇,确保器件工作在安全温度范围内。

    7. 总结和推荐


    总结:
    2SK3799是一款高性能的N沟道硅MOSFET,适用于多种电力转换和调节应用。它具有低导通电阻、高前向传递电导、低漏电流等优点,使其成为高效电力系统中的理想选择。此外,东芝公司提供的详细技术文档和支持服务也为用户提供了可靠的保障。
    推荐:
    强烈推荐2SK3799给那些需要高效率和可靠性的电力系统设计者。该器件的应用范围广泛,能够满足大多数开关电源和电机驱动系统的需求。

2SK3799(Q,M)参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 50KW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.2nF@ 25V
栅极电荷 60nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
长*宽*高 10mm*4.5mm*15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装

2SK3799(Q,M)厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

2SK3799(Q,M)数据手册

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2SK3799(Q,M)封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ $ 2.9 ¥ 19.435
50+ $ 2.16 ¥ 16.731
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