处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK2837(Q)

2SK2837(Q)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 150KW 30V 80nC@ 10V 500V 270mΩ@ 10V 3.72nF@ 10V TO-3PN 通孔安装 4.5mm(宽度)*19mm(高度)
供应商型号: CSJ-ST65324743
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) 2SK2837(Q)

2SK2837(Q)概述


    产品简介


    2SK2837 是东芝公司生产的场效应晶体管(FET),属于N沟道硅增强型π-MOSV结构。该产品广泛应用于斩波调节器、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。具有低导通电阻、高前向传输导纳和低漏电流的特点,适用于需要高效率和稳定性的场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压:VDSS = 500 V
    - 漏栅电压:VDGR = 500 V
    - 栅源电压:VGSS = ±30 V
    - 连续漏极电流:ID = 20 A
    - 脉冲漏极电流:IDP = 80 A
    - 漏极耗散功率(Tc = 25°C):PD = 150 W
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 960 mJ
    - 雪崩电流:IAR = 20 A
    - 重复雪崩能量:EAR = 15 mJ
    - 通道温度:Tch = 150 °C
    - 存储温度范围:Tstg = -55 to 150 °C
    - 热特性:
    - 热阻(通道到外壳):Rth(ch-c) = 0.833 °C/W
    - 热阻(通道到环境):Rth(ch-a) = 50 °C/W
    - 电气特性(Ta = 25°C):
    - 栅漏电泄漏电流:IGSS = ±10 μA
    - 栅源击穿电压:V(BR)GSS = ±30 V
    - 漏源截止电流:IDSS = 100 μA
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS = 500 V
    - 栅阈电压:Vth = 2.0 to 4.0 V
    - 漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.21 Ω (典型值)
    - 前向传输导纳:|Yfs| = 17 S (典型值)
    - 输入电容:Ciss = 3720 pF
    - 反向传输电容:Crs = 340 pF
    - 输出电容:Coss = 1165 pF

    产品特点和优势


    2SK2837 具有多个显著优势:
    - 低导通电阻:0.21 Ω 的低导通电阻使得功率损耗更小,效率更高。
    - 高前向传输导纳:17 S 的高前向传输导纳可以提高系统的整体响应速度。
    - 低漏电流:最大漏电流仅为 100 μA,确保系统在不工作状态下能保持低功耗状态。
    - 增强模式:阈值电压范围为 2.0 到 4.0 V,确保器件易于开关控制。

    应用案例和使用建议


    2SK2837 主要应用于斩波调节器、DC-DC转换器和电机驱动等领域。例如,在DC-DC转换器中,2SK2837可以有效减少电源模块中的能量损耗,提高效率。为了充分发挥2SK2837的优势,建议:
    - 在设计时要严格控制电路的工作温度,避免超过 150°C 的通道温度限制。
    - 合理选择外围电路的参数,以确保器件在最佳条件下工作。
    - 注意散热设计,特别是大功率应用中,应采用良好的散热措施以降低热阻。

    兼容性和支持


    2SK2837 在多种电路和系统中具有良好的兼容性。东芝公司提供全面的技术支持,包括详细的产品手册和应用指南,帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,东芝还提供可靠性测试报告和其他可靠性数据,确保用户能够获得最佳的设计指导。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何处理静电敏感性问题?
    - A: 请严格按照静电防护标准进行操作,使用防静电包装和工具,避免直接用手触摸引脚。

    - Q:如何确保在高温环境下稳定工作?
    - A: 设计时需考虑散热措施,例如增加散热片或使用高效的散热材料,以确保器件工作在安全温度范围内。

    - Q:如何确定器件是否适合我的应用?
    - A: 参考东芝半导体可靠性手册中的热设计和降额概念,确保器件能够在预期的负载和环境中正常工作。

    总结和推荐


    综上所述,2SK2837 场效应晶体管是一款性能优异、应用广泛的电子元器件。其低导通电阻和高前向传输导纳使其非常适合于高效能应用场合。尽管需要注意温度和静电防护问题,但通过合理的设计和操作,2SK2837 在多种应用场景中表现出色。因此,强烈推荐将此产品用于需要高性能、高可靠性的电子系统中。

2SK2837(Q)参数

参数
最大功率耗散 150KW
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.72nF@ 10V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 80nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
长*宽*高 4.5mm(宽度)*19mm(高度)
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装

2SK2837(Q)厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

2SK2837(Q)数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA 2SK2837(Q) 2SK2837(Q)数据手册

2SK2837(Q)封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 4.6841 ¥ 39.6739
库存: 114
起订量: 11 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 39.67
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336