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TPH5R906NH,L1Q(M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance T/R
供应商型号: TPH5R906NH,L1Q(M
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPH5R906NH,L1Q(M

TPH5R906NH,L1Q(M概述

    # TPH5R906NH MOSFET 技术手册

    产品简介


    TPH5R906NH 是一款由东芝(Toshiba)制造的硅基 N 沟道 MOSFET(U-MOS®-H)。此款 MOSFET 主要用于开关电压调节器、电机驱动器和直流-直流转换器等领域。其特点在于小巧轻薄的封装设计、高速开关能力和低导通电阻,使其成为高效率电力电子设备的理想选择。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGSS | ±20 | V |
    | 漏极电流(直流) | ID | 71 | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IIDP| 84 | A |
    | 功耗(单脉冲雪崩能量) | EAS | 124 | mJ |
    | 渠道温度 | Tch| 150 | °C |
    | 存储温度 | Tstg| -55 到 150| °C |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 渠道到外壳热阻 | Rth(ch-c) | 2.19 | °C/W |
    | 渠道到环境热阻(Tc = 25°C)| Rth(ch-a)| 44.6 | °C/W |
    | 渠道到环境热阻(Tc = 10s)| Rth(ch-a)| 78.1 | °C/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅漏电流 | IGSS | -0.1 | - | +0.1 | μA |
    | 漏源截止电流 | IDSS | - | - | 10 | V |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS| 60 | - | - | V |
    | 栅阈电压 | Vth | 2.0 | 2.7 | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON)| 4.8 | 6.4 | 14 | mΩ |

    产品特点和优势


    1. 小型封装:由于采用了小尺寸和薄型封装,TPH5R906NH 在空间有限的应用中表现出色。
    2. 高速开关:其低门极电荷和高阈值电压使开关速度更快。
    3. 低导通电阻:典型的 RDS(ON) 仅为 4.8 mΩ(VGS = 10 V),有助于降低功耗并提高效率。
    4. 低泄漏电流:漏极泄漏电流典型值为 10 μA(VDS = 60 V),确保了设备的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电压调节器:适用于需要高效率和紧凑尺寸的设计。
    - 电机驱动器:可用于驱动各种电动机,如步进电机或直流电机。
    - 直流-直流转换器:适用于多种直流电源转换场合,确保高效输出。
    使用建议
    1. 保持低温操作:为了确保长期可靠性,建议将芯片温度控制在 150°C 以下。
    2. 避免连续高负载操作:长时间在高负载条件下工作可能导致可靠性降低。
    3. 合适的散热设计:根据器件的热特性,选择适当的散热方法,以避免过热。

    兼容性和支持


    - 封装:SOP Advance,编号为 2-5Q1S。
    - 支持:东芝提供详细的可靠性手册和失效模式数据分析报告,帮助客户设计可靠的应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品是否适合用于极端环境?
    解决方案:产品可以在 -55°C 至 150°C 的环境中正常工作,但需要考虑散热设计以避免高温带来的风险。
    2. 问题:如何处理静电放电(ESD)?
    解决方案:产品敏感于静电放电,应在使用过程中采取防静电措施,例如使用防静电腕带。

    总结和推荐


    综合评估
    TPH5R906NH MOSFET 具有出色的性能参数和多项显著优势,特别适合在高效率电力电子系统中使用。其低导通电阻和高速开关特性使其在多种应用中表现出色。
    推荐使用
    鉴于其优越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐 TPH5R906NH MOSFET 在开关电压调节器、电机驱动器和直流-直流转换器中使用。对于设计紧凑且高效的应用,此产品无疑是理想选择。

TPH5R906NH,L1Q(M参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
长*宽*高 5mm*5mm*950μm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装

TPH5R906NH,L1Q(M厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPH5R906NH,L1Q(M数据手册

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TPH5R906NH,L1Q(M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50000+ ¥ 2.7529
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