处理中...

首页  >  产品百科  >  XP231N02015R-G

XP231N02015R-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 350mW 20V 0.18nC@ 10V 30V 5Ω@ 4.5V 6.5pF@ 10V
供应商型号: 3577868
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP231N02015R-G

XP231N02015R-G概述

    # XP231N02015R-G N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    XP231N02015R-G 是一款 N 沟道 MOSFET,专为开关应用设计。它具有低至 0.2A 的连续漏极电流和高达 30V 的耐压能力。这款器件以其高可靠性、紧凑封装及符合欧盟 RoHS 标准的环保材料而著称。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 30V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 0.2A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DP} \): 0.4A
    - 芯片功耗 \( Pd \): 0.35W
    - 结温 \( TJ \): 150°C
    - 存储温度 \( T{stg} \): -55~150°C
    电气特性
    - 击穿电压 \( V(BR){DSS} \): 30V
    - 漏源泄漏电流 \( I{DSS} \): 1μA
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): ±10μA
    - 栅阈值电压 \( V{GS(off)} \): 0.7~1.8V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS}=4.5V \), \( ID=10mA \): 3~5Ω
    - \( V{GS}=2.5V \), \( ID=10mA \): 5.5~11Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \): 6.5pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 2.5pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 1.2pF
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 7ns
    - 上升时间 \( tr \): 5ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \): 20ns
    - 下降时间 \( tf \): 8ns
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 0.18nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 0.03nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 0.08nC
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \): 0.8~1.2V

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:在 \( V{GS}=4.5V \) 时,\( R{DS(on)} \) 为 5Ω,保证了高效能。
    2. 环境友好:符合欧盟 RoHS 标准,无卤素,无铅,且符合 Halogen 和 Antimony 免除标准。
    3. 广泛的驱动电压范围:支持 2.5V 驱动电压,适合多种应用场景。
    4. 可靠的温度适应性:可在极端环境下工作(-55°C 至 150°C)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关应用:适用于需要高效能和紧凑封装的电路设计。

    使用建议
    - 高温操作:在高负载条件下使用时,确保遵守绝对最大额定值以避免可靠性问题。
    - 安全设计:在系统设计中加入故障保护机制,如冗余设计,以提高系统的整体可靠性。

    兼容性和支持


    - 封装信息:采用 SOT-523 封装,符合 JESD51-7 标准。
    - 技术支持:供应商 Torex Semiconductor Ltd 提供详细的技术文档和支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题一
    如何确定正确的驱动电压?
    - 解决方法:根据 \( R{DS(on)} \) 参数选择合适的驱动电压,一般推荐使用 2.5V 或更高。
    问题二
    如何处理高温环境下的可靠性问题?
    - 解决方法:使用时确保不超出绝对最大额定值,并加入冷却措施,例如风扇或散热片。

    总结和推荐


    XP231N02015R-G N 沟道 MOSFET 在设计上兼顾高效能和可靠性,广泛适用于开关应用。它的低导通电阻和环保特性使其在市场上具有较强的竞争力。建议在设计开关电源或其他需要高性能、高可靠性的应用中使用此产品。

XP231N02015R-G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 350mW
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.5pF@ 10V
栅极电荷 0.18nC@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 -

XP231N02015R-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP231N02015R-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP231N02015R-G XP231N02015R-G数据手册

XP231N02015R-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5805
10+ ¥ 0.5805
100+ ¥ 0.4398
500+ ¥ 0.4398
1000+ ¥ 0.3941
5000+ ¥ 0.3941
库存: 4973
起订量: 115 增量: 0
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 43.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336