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XP152A12C0MR-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 500mW(Ta) 12V 1.2V@1mA 1个P沟道 20V 300mΩ@ 400mA,4.5V 700mA 180pF@10V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 3534774
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP152A12C0MR-G

XP152A12C0MR-G概述


    产品简介


    XP152A12C0MR-G Power MOSFET
    XP152A12C0MR-G 是一款采用SOT-23封装的P通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和超高速开关特性。这种器件特别适用于笔记本电脑、手机、车载电源供应系统及锂离子电池系统等高密度集成应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | Vdss | -20 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压 | Vgss | ±12 | - | ±12 | V |
    | 漏极电流(直流)| Id | -0.7 | - | - | A |
    | 漏极电流(脉冲)| Idp | -2.8 | - | - | A |
    | 反向漏极电流 | Idr | -0.7 | - | - | A |
    | 渠道功耗 | Pd | - | 0.5 | - | W |
    | 渠道温度 | Tch | - | 150 | - | ℃ |
    | 存储温度 | Tstg | -55 | - | 150 | ℃ |
    典型电气特性
    - 导通电阻 (Rds(on)): 0.3Ω @ Vgs = -4.5V;0.5Ω @ Vgs = -2.5V
    - 正向传输导纳 (Yfs): - 1.5 S
    - 正向体二极管导通电压 (Vf): - 0.8 ~ -1.1 V
    - 热阻 (Rth(ch-a)): - 250 ℃/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: Rds(on) = 0.3Ω @ Vgs = -4.5V,Rds(on) = 0.5Ω @ Vgs = -2.5V,显著降低功耗。
    - 超高速开关特性: 适用于需要高频操作的应用场景。
    - 内置栅极保护二极管: 避免静电损坏。
    - 小型SOT-23封装: 适合高密度安装。
    - 环保设计: 符合RoHS标准,无卤素和锑。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑: 高频操作需求,要求高效能低功耗。
    - 手机: 轻薄便携设计,要求小体积和高性能。
    - 车载电源: 需要长时间稳定运行,低功耗设计减少发热。
    使用建议:
    - 在设计PCB布局时,确保良好的散热措施以防止过热。
    - 使用陶瓷基板可降低热阻。
    - 注意不要超过额定电压和电流限制,避免损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 其他电子元器件: XP152A12C0MR-G可与多种电源管理IC、微控制器和负载开关兼容。
    - RoHS标准: 符合欧盟RoHS标准,广泛应用于消费电子产品中。
    支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和技术支持。
    - 咨询厂商或代表确认最新信息和应用指导。

    常见问题与解决方案


    问题1: 过高的静态电流
    解决方案: 确保MOSFET的工作条件不超过最大额定值,特别是Vds和Vgs。检查电路设计是否有异常。
    问题2: 开关时间不稳定
    解决方案: 保证门极驱动电压稳定,并遵循推荐的电气特性参数。优化电路中的RC网络可以改善开关性能。
    问题3: 静电损坏
    解决方案: 安装内置的栅极保护二极管,注意操作过程中的防静电措施。

    总结和推荐


    综合评估:
    XP152A12C0MR-G 作为一款高性能的P通道功率MOSFET,在低功耗和高密度集成方面表现出色。其独特的优势使其成为笔记本电脑、手机和其他便携式电子设备的理想选择。
    推荐:
    我们强烈推荐使用XP152A12C0MR-G,特别是在追求高效能和紧凑设计的应用场合。确保严格按照技术手册的要求进行操作和测试,以获得最佳效果。

XP152A12C0MR-G参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 700mA
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 180pF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 400mA,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@1mA
配置 独立式
最大功率耗散 500mW(Ta)
通道数量 1
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

XP152A12C0MR-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP152A12C0MR-G数据手册

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TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP152A12C0MR-G XP152A12C0MR-G数据手册

XP152A12C0MR-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.9299
10+ ¥ 2.2196
100+ ¥ 1.9888
500+ ¥ 1.9888
1000+ ¥ 1.9533
5000+ ¥ 1.9533
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