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XP222P0801TR-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 400mW 8V 20V 560mΩ@ 4.5V 118pF@ 10V
供应商型号: 3577859
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP222P0801TR-G

XP222P0801TR-G概述

    # P-Channel MOSFET XP222P0801TR-G 技术手册

    1. 产品简介


    XP222P0801TR-G 是一款 P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),具有 -20V 的漏源电压和 -0.8A 的漏极电流。该产品采用 SOT-23 (TO-236) 封装,适用于多种开关应用。由于其低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,该 MOSFET 在工业自动化、电源管理和其他需要高效开关的应用领域中表现出色。

    2. 技术参数


    2.1 绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | -20 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±8 | V |
    | 漏极直流电流 | ID | -0.8 | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDP | -1.6 | A |
    | 漏极耗散功率 | Pd | 0.4 | W |
    | 结温 | TJ | 150 | ℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55~150 | ℃ |
    2.2 电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | ID= -100μA, VGS=0V | -20 | - | - | V |
    | 漏源泄漏电流 | IDSS | VDS= -20V, VGS=0V | - | - |-1 | μA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=±8V, VDS=0V | - | - |±10 | μA |
    | 栅阈值电压 | VGS(off) | ID= -250uA, VDS=0V | -0.4 | -0.8 | -1.3 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS= -4.5V, ID= -300mA | - | 0.3 | 0.56 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VDS= -10V, VGS=0V, f=1MHz | - | 118 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | 33 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | - | 25 | pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD= -10V, ID= -400mA, VGS= -4.5V | - | 8 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | - | - | 18 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | - | - | 45 | ns |
    | 下降时间 | tf | - | - | - | 40 | ns |
    | 二极管正向电压 | VSD | IS= -400mA, VGS=0V | - | - | -0.8 | V |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)=0.56Ω @ VGS=-4.5V,使得在开关操作时能量损失最小化。
    - 驱动电压低:-1.8V 的驱动电压使得系统设计更为简单。
    - 环保:符合欧盟 RoHS 标准,无卤素、无铅,确保在环境保护方面满足要求。
    - 可靠性高:通过严格的测试和可靠性验证,适用于高可靠性需求的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    4.1 应用案例
    XP222P0801TR-G 主要应用于开关电路,例如电源转换器、电机控制和信号放大等。它特别适合于需要高效率、低损耗的应用场景。
    4.2 使用建议
    - 负载持续使用:当处于高负载、高温、高压和热应力条件下时,应确保在绝对最大额定值范围内使用,以避免可靠性下降。
    - 设计安全措施:建议用户在设计系统时加入故障保护机制和老化保护处理,提高系统的可靠性和安全性。

    5. 兼容性和支持


    XP222P0801TR-G 与常见的 PCB 尺寸和标准兼容,方便集成到现有的电路板中。Torex Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利进行产品选型和应用。

    6. 常见问题与解决方案


    6.1 问题 1:如何避免因长期高负载使用导致的可靠性问题?
    解决办法:确保在设计阶段将产品置于绝对最大额定值范围内使用,同时增加必要的散热措施,如散热片和风扇,以降低热应力的影响。
    6.2 问题 2:如何保证产品的长寿命和稳定性?
    解决办法:建议在系统设计中加入故障保护和老化保护机制,确保在长期运行过程中系统的稳定性和可靠性。

    7. 总结和推荐


    XP222P0801TR-G 以其出色的性能、低导通电阻和高可靠性,在开关应用领域表现优异。它不仅适用于一般工业自动化和电源管理,还符合环保标准,是一款值得推荐的产品。然而,使用时需注意在高负载和高环境压力下可能带来的可靠性问题,建议采取适当的保护措施。

XP222P0801TR-G参数

参数
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 400mW
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 560mΩ@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 8V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 118pF@ 10V

XP222P0801TR-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP222P0801TR-G数据手册

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TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP222P0801TR-G XP222P0801TR-G数据手册

XP222P0801TR-G封装设计

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10+ ¥ 0.6402
100+ ¥ 0.485
500+ ¥ 0.485
1000+ ¥ 0.4346
5000+ ¥ 0.4346
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