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XP151A11B0MR-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 500mW(Ta) 20V 1个N沟道 30V 120mΩ@ 500mA,10V 1A 150pF@10V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 10B-3534770-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP151A11B0MR-G

XP151A11B0MR-G概述

    电子元器件技术手册:XP151A11B0MR-G Power MOSFET

    产品简介


    XP151A11B0MR-G 是一款 N 沟道功率 MOSFET,具备低导通电阻和超高速开关特性。这款器件主要应用于笔记本电脑、手机、板载电源和锂离子电池系统等领域。其核心优势在于高效能的开关性能,从而提高系统的整体效率并减少能源浪费。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压 \( V{gss} \): ±20 V
    - 漏源电压 \( V{dss} \): 30 V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 \( Id \): 1 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{dp} \): 4 A
    - 反向漏极电流 \( I{dr} \): 1 A
    - 温度参数
    - 栅源截止电压 \( V{gss(off)} \): 1.0 ~ 3.0 V
    - 最高通道温度 \( T{ch} \): 150 ℃
    - 存储温度 \( T{stg} \): -55~150 ℃
    - 功率参数
    - 通道功率耗散 \( Pd \): 0.5 W
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 150 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 90 pF
    - 反馈电容 \( C{rss} \): 30 pF
    - 开关时间
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \): 10 ns
    - 上升时间 \( tr \): 15 ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(off)} \): 25 ns
    - 下降时间 \( tf \): 45 ns
    - 热阻
    - 栅极-散热片热阻 \( R{th(ch-a)} \): 250 ℃/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: \( R{ds(on)} = 0.12Ω @ V{gs} = 10V \),\( R{ds(on)} = 0.17Ω @ V{gs} = 4.5V \)
    2. 超高速开关
    3. 内置栅极保护二极管
    4. 环保设计: 符合欧盟 RoHS 标准,无铅

    应用案例和使用建议


    XP151A11B0MR-G 广泛应用于笔记本电脑、手机、板载电源和锂离子电池系统等领域。由于其超高速开关特性,适用于需要高效能、低能耗的应用场景。使用时建议在正常工作条件下操作,确保不超出额定参数范围。

    兼容性和支持


    该产品采用 SOT-23 封装,适合高密度安装。产品支持与其他标准电子元器件无缝连接,符合行业标准。厂商提供详细的技术支持文档,以帮助用户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温下性能下降
    - 解决方案: 确保良好散热,可使用散热片或风扇降低温度。

    2. 问题: 开关延迟时间长
    - 解决方案: 检查输入电压是否稳定,确保驱动电压符合要求。
    3. 问题: 导通电阻异常高
    - 解决方案: 检查输入电压和温度,确保在正常范围内。

    总结和推荐


    XP151A11B0MR-G 功率 MOSFET 以其低导通电阻、超高速开关特性及绿色环保设计,在多种应用中表现出色。其广泛应用和优异的性能使其成为电源管理和节能应用的理想选择。强烈推荐给寻求高性能、低能耗电子元件的工程师和设计师。
    请注意,本文档仅供参考,具体应用时请详细查阅技术手册并遵循厂商指导。

XP151A11B0MR-G参数

参数
Id-连续漏极电流 1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@10V
配置 独立式
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 500mW(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

XP151A11B0MR-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP151A11B0MR-G数据手册

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TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP151A11B0MR-G XP151A11B0MR-G数据手册

XP151A11B0MR-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.5947
100+ ¥ 3.5053
355+ ¥ 3.3651
500+ ¥ 2.661
1000+ ¥ 2.2911
5000+ ¥ 1.9331
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