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XP231P02013R-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 350mW(Ta) 8V 1.2V@ 250µA 1个P沟道 30V 5Ω@ 100mA,4.5V 200mA 34pF@10V SOT-323-3A 贴片安装
供应商型号: 3577871
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP231P02013R-G

XP231P02013R-G概述

    XP231P02013R-G P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    XP231P02013R-G 是一款P沟道MOSFET晶体管,主要应用于开关电源等领域。该产品采用SOT-323-3A封装形式,提供良好的电气特性和高可靠性。其标称参数包括-30V的耐压等级和-0.2A的连续漏极电流,特别适用于需要高电压和大电流的应用场合。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):-30V
    - 栅源电压(VGSS):±8V
    - 漏极电流(DC):-0.2A
    - 漏极电流(脉冲):-0.4A
    - 管芯功耗(Pd):0.35W
    - 结温(TJ):150℃
    - 存储温度(Tstg):-55~150℃
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):-30V
    - 漏源泄漏电流(IDSS):-10μA
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±10μA
    - 栅阈电压(VGS(off)):-0.5 ~ -1.2V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):5Ω @ VGS = -4.5V
    - 输入电容(Ciss):34pF @ f = 1MHz
    - 输出电容(Coss):7pF
    - 反向传输电容(Crss):2.5pF
    - 开启延时时间(td(on)):18ns
    - 上升时间(tr):20ns
    - 关闭延时时间(td(off)):80ns
    - 下降时间(tf):45ns
    - 二极管正向电压(VSD):-0.8 ~ -1.2V

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:5Ω @ VGS = -4.5V,可确保高效的能量转换。
    - 驱动电压要求低:仅需-2.5V即可驱动,适用于各种应用。
    - 绿色环保:符合欧盟RoHS标准,无卤素和锑,无铅。
    - 高性能:经过严格测试,确保在各种环境下的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关应用:适用于高电压和大电流的开关电路。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应确保MOSFET的工作条件在绝对最大额定值范围内。
    - 避免长时间在高温、高压和高电流条件下运行,以防止可靠性下降。
    - 设计时考虑加入冗余和系统安全措施,确保系统的长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准SOT-323封装的引脚兼容。
    - 支持:Torex公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高频应用中MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加散热片,改善热管理设计。
    - 问题2:MOSFET在长时间使用后出现性能下降。
    - 解决方案:定期进行检查和维护,确保工作环境稳定。
    - 问题3:MOSFET启动时存在较大噪声。
    - 解决方案:检查电路布局,确保电源和接地线路稳定。

    7. 总结和推荐


    XP231P02013R-G是一款高性能的P沟道MOSFET晶体管,具有低导通电阻、低驱动电压和绿色环保等特点。适用于各种高电压和大电流的开关应用。产品技术参数全面,支持多种应用场景,且供应商提供全面的技术支持和售后服务。因此,强烈推荐使用该产品,特别是在高可靠性需求的场合下。

XP231P02013R-G参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 200mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 34pF@10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 100mA,4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 8V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
最大功率耗散 350mW(Ta)
通用封装 SOT-323-3A
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

XP231P02013R-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP231P02013R-G数据手册

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TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP231P02013R-G XP231P02013R-G数据手册

XP231P02013R-G封装设计

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10+ ¥ 0.6402
100+ ¥ 0.485
500+ ¥ 0.485
1000+ ¥ 0.4346
5000+ ¥ 0.4346
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