处理中...

首页  >  产品百科  >  XP224N0601TR-G

XP224N0601TR-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 400mW 8V 0.8nC@ 6V 20V 700mΩ@ 4.5V 60pF@ 10V
供应商型号: 3577864
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) XP224N0601TR-G

XP224N0601TR-G概述


    产品简介


    XP224N0601TR-G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要特点为漏极-源极电压(VDSS)为 20V,最大持续漏极电流(ID)为 0.6A。这款 MOSFET 主要应用于开关电源电路和其他需要高效率的场合。它采用了 SOT-23 封装,这种小型封装使其非常适合于空间受限的应用场合。

    技术参数


    XP224N0601TR-G 的技术参数如下:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):20V
    - 栅源电压(VGSS):±8V
    - 最大漏极电流(ID):0.6A
    - 脉冲漏极电流(IDP):1.2A(脉冲宽度≤10μs,占空比≤1%)
    - 通道功率耗散(Pd):0.4W
    - 结温(TJ):150℃
    - 存储温度(Tstg):-55~150℃
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):20V(ID=100μA, VGS=0V)
    - 漏源泄漏电流(IDSS):≤1μA(VDS=20V, VGS=0V)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±10μA(VGS=±8V, VDS=0V)
    - 栅阈值电压(VGS(off)):0.4~1.1V(ID=250μA, VDS=VGS)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):典型值 0.25Ω @ VGS=4.5V, ID=300mA
    - 输入电容(Ciss):60pF(VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容(Coss):12pF
    - 反向转移电容(Crss):7pF
    - 导通延迟时间(td(on)):典型值 9ns(VDD=10V, ID=300mA, VGS=4.5V)
    - 上升时间(tr):典型值 8ns
    - 关断延迟时间(td(off)):典型值 30ns
    - 下降时间(tf):典型值 14ns
    - 总栅极电荷(Qg):典型值 0.8nC(VDS=10V, ID=300mA, VGS=6V)

    产品特点和优势


    XP224N0601TR-G 的关键特点如下:
    - 低导通电阻:RDS(on)=0.7Ω @ VGS=4.5V,使得它能够高效地切换电流。
    - 驱动电压低:仅需 1.8V 即可有效驱动,适用于低压系统。
    - 环保认证:符合欧盟 RoHS 标准,不含卤素和铅,适合环保要求高的应用场合。
    - 小型封装:采用 SOT-23 封装,适合空间受限的设计。
    这些特点使该 MOSFET 在开关电源、电机控制和其他高效率要求的场合表现出色,且在市场上具有较强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    XP224N0601TR-G 广泛应用于开关电源、电机控制、照明系统等领域。以下是一些具体的应用案例及使用建议:
    1. 开关电源
    - 在开关电源中,MOSFET 作为主开关管,能够实现高频开关操作,提高转换效率。
    - 使用时应注意不要超过绝对最大额定值,以确保长期稳定运行。
    2. 电机控制
    - 用于驱动小功率直流电机,通过调整栅极电压来控制电机速度。
    - 建议在电机回路中加入必要的保护电路(如续流二极管),防止反电动势损坏 MOSFET。
    3. LED 照明
    - 用于 LED 驱动电路中,调节亮度和电流。
    - 注意散热设计,避免高温导致的可靠性问题。

    兼容性和支持


    XP224N0601TR-G 与其他标准 SOT-23 封装的 MOSFET 兼容,便于替换现有电路中的其他型号。此外,Torex Semiconductor 提供详细的技术文档和支持,包括应用指南和常见问题解答,有助于用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 问题:如何确定合适的驱动电压?
    - 解决方案:根据手册建议,驱动电压为 1.8V,通常可以使用标准 3.3V 或 5V 微控制器直接驱动。
    2. 问题:如何减少开关损耗?
    - 解决方案:选择合适的驱动电阻,减小驱动波形的上升时间和下降时间。同时,确保电路设计中的寄生电感和电容最小化。
    3. 问题:如何避免过热损坏?
    - 解决方案:在电路设计中增加适当的散热措施,例如使用散热片或风扇,确保 MOSFET 工作温度不超过 150℃。

    总结和推荐


    综上所述,XP224N0601TR-G 是一款性能优越、可靠性高的 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高效率和低功耗的应用场合。其紧凑的封装、低导通电阻和环保特性使其在市场上具有很高的竞争力。强烈推荐在开关电源、电机控制和 LED 照明等领域使用此产品。如果您正在寻找一款能够在恶劣条件下可靠工作的 MOSFET,那么 XP224N0601TR-G 是一个值得考虑的选择。

XP224N0601TR-G参数

参数
栅极电荷 0.8nC@ 6V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 60pF@ 10V
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 400mW
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 4.5V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

XP224N0601TR-G厂商介绍

TOREX Semiconductor(特瑞仕半导体)是一家全球知名的半导体制造商,专注于电源管理IC的研发和生产。公司总部位于日本,拥有强大的研发团队和先进的制造技术。

TOREX Semiconductor的主营产品主要分为以下几类:
1. 电源管理IC:包括DC-DC转换器、LDO(低压差线性稳压器)、充电管理IC等,广泛应用于移动设备、工业控制、汽车电子等领域。
2. 模拟开关:用于信号切换和分配,适用于通信、医疗设备、消费电子等领域。
3. 电机驱动IC:用于控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于工业自动化、家用电器等领域。

TOREX Semiconductor的优势在于:
1. 高性能:产品具有低功耗、高效率、高稳定性等特点,满足严苛的应用需求。
2. 丰富的产品线:提供多种类型的电源管理IC和模拟开关,满足不同客户的需求。
3. 快速响应:拥有专业的技术支持团队,能够快速响应客户的需求和问题。
4. 严格的质量控制:从设计、生产到测试,每个环节都严格把关,确保产品的可靠性和一致性。

XP224N0601TR-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOREX SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) TOREX SEMICONDUCTOR XP224N0601TR-G XP224N0601TR-G数据手册

XP224N0601TR-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5896
10+ ¥ 0.5896
100+ ¥ 0.4467
500+ ¥ 0.4467
1000+ ¥ 0.4002
5000+ ¥ 0.4002
库存: 4828
起订量: 115 增量: 0
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 44.67
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336