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VNP28N04E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 83W 1个N沟道 42V 35mΩ 28A TO-220-3 通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) VNP28N04E

VNP28N04E概述


    产品简介


    VNP28N04 OMNIFET
    VNP28N04 OMNIFET 是一款由 STMicroelectronics 使用其 VIPower 技术制造的全集成保护功率 MOSFET。该器件专为替代标准功率 MOSFET 而设计,适用于从直流到 50 kHz 的应用。它的特点包括内置热关断、线性电流限制和过电压钳位等功能,确保其在恶劣环境中的可靠运行。此外,该器件兼容标准功率 MOSFET,并提供 TO-220 封装,方便集成到现有系统中。

    技术参数


    - 电气特性:
    - VDS(漏源电压): 42 V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.035 Ω(Vin = 10 V, ID = 14 A)
    - 最大漏极电流 (ID): 28 A
    - 输入电压 (Vin): 18 V
    - 输入阈值电压 (VIN(th)): 0.8 - 3 V(VDS = Vin, ID + Iin = 1 mA)
    - 反向输入源钳位电压 (VINCL): -1 - -0.3 V(Iin = -1 mA)
    - 总功耗 (Ptot): 83 W(Tc = 25°C)
    - 工作结温范围: 内部限制,最高可达 150°C
    - 存储温度范围: -55°C 到 150°C
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)) 随温度变化: 在 -55°C 到 150°C 的范围内变化
    - 保护特性:
    - 短路保护 (Ilim): 最大限流 28 A
    - 过温关断 (Tjsh): 150°C
    - 过温复位 (Tjrs): 135°C
    - 单脉冲雪崩能量 (Eas): 2.5 J(Tj = 25°C, VDD = 20 V)

    产品特点和优势


    VNP28N04 OMNIFET 的主要优势在于其强大的保护机制,包括:
    - 过电压钳位保护: 内置的过电压钳位可以承受高达 42V 的电压,并具有出色的雪崩能力,适合驱动感性负载。
    - 线性电流限制器电路: 线性电流限制器电路可将漏极电流限制在 28A 以内,确保系统在极端情况下的安全性。
    - 过温保护和短路保护: 基于芯片温度感应,即使输入电压变化也能实现快速准确的温度检测。过温关断后,当温度降至 135°C 时会自动重新启动。
    - ESD 保护: 按照人体模型进行 ESD 保护,适用于严格的工业环境。
    - 兼容性: 兼容标准功率 MOSFET 和 TTL 逻辑电路,易于集成到现有的电子系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    VNP28N04 OMNIFET 广泛应用于各种工业和自动化控制系统,如电机控制、电源管理、通信设备和汽车电子等领域。由于其高可靠性及多功能性,该器件非常适合需要高性能保护功能的应用场合。
    使用建议
    - 在感性负载下使用时: 考虑到其过电压钳位功能,VNP28N04 特别适合用于感性负载驱动,以确保系统安全。
    - 监控温度: 当电流限流器处于激活状态时,确保散热器有足够的冷却能力,避免因长时间电流限制导致的结温升高。
    - 正确接线: 确保按照技术手册提供的接线图进行正确的安装,以防止误操作引起的安全隐患。

    兼容性和支持


    VNP28N04 OMNIFET 具有良好的兼容性,可以与其他标准功率 MOSFET 和 TTL 逻辑电路无缝对接。STMicroelectronics 提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,STMicroelectronics 还提供售后技术支持,确保客户能够顺利解决问题并充分利用该器件的功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方法: 监控芯片温度,如果超过 150°C,设备将自动关断。通过改善散热条件或降低负载电流,可以恢复正常工作。

    - 问题: 设备输出电流波动较大。
    - 解决方法: 检查负载连接是否正确,确保负载稳定。如果负载仍然波动,可能需要调整系统的电源稳定性。

    - 问题: 输入端电压不稳定。
    - 解决方法: 使用稳定的电源供应,避免输入电压大幅波动。同时检查线路连接,确保没有接触不良的情况。

    总结和推荐



    总结


    VNP28N04 OMNIFET 是一款功能强大且可靠的全集成保护功率 MOSFET,具备过电压钳位、线性电流限制、过温保护等多种保护功能,能够在恶劣环境中提供稳定的工作表现。其 TO-220 封装便于集成到多种系统中,而良好的兼容性使其能够与其他标准组件轻松配合使用。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐 VNP28N04 OMNIFET 给需要高性能保护功能的工业和自动化控制系统应用。无论是新项目的开发还是现有系统的升级,VNP28N04 都是一个值得信赖的选择。

VNP28N04E参数

参数
最大功率耗散 83W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ
Vds-漏源极击穿电压 42V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 28A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
10.4mm(Max)
4.6mm(Max)
9.15mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

VNP28N04E厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

VNP28N04E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS VNP28N04E VNP28N04E数据手册

VNP28N04E封装设计

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