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PD57030-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 52.8W 20V 1个N沟道 65V 4A 57pF@ 28V 底座安装 7.5mm*9.4mm*3.5mm
供应商型号: AV-E-PD57030-E
供应商: Avnet
标准整包数: 50
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) PD57030-E

PD57030-E概述


    产品简介


    产品名称:PD57030-E RF功率晶体管
    产品类型: PD57030-E 是一种 N 沟道增强型横向 MOSFET(MOS场效应晶体管),属于LdmoST塑料封装系列。该产品专为高增益和宽带商业及工业应用设计。
    主要功能:
    - 输出功率高达30瓦,增益可达14分贝(@945 MHz/28V)
    - 采用新研发的射频塑料封装
    - 适用于基站在内的多种基站应用
    应用领域:
    - 商业应用
    - 工业应用
    - 基站应用

    技术参数


    绝对最大额定值(环境温度25°C):
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏源电压(VDS):65V
    - 漏极电流(ID):4A
    - 功耗(PDISS):52.8W(环境温度70°C)
    - 最大工作结温(TJ):165°C
    - 存储温度范围:-65°C到+150°C
    热学数据:
    - 结点到外壳的热阻(RthJC):1.8°C/W
    电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):65V(栅源电压VGS = 0V)
    - 栅源击穿电压(VGS(Q)):2.0V到5.0V(漏极电流ID = 50mA,漏源电压VDS = 28V)
    - 静态跨导(gFS):1.8毫西门子(漏源电压VDS = 10V,漏极电流ID = 3A)
    动态特性:
    - 输出功率(POUT):30W(漏源电压VDS = 28V,静态电流IDQ = 50mA,频率f = 945 MHz)
    - 增益(GP):13dB到14dB(漏源电压VDS = 28V,静态电流IDQ = 50mA,输出功率POUT = 30W,频率f = 945 MHz)
    - 效率(η):45%到53%(漏源电压VDS = 28V,静态电流IDQ = 50mA,输出功率POUT = 30W,频率f = 945 MHz)

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 出色的热稳定性
    - 新一代LDMOS技术
    - 第一款真正意义上的SMD塑料射频功率封装(PowerSO-10RF)
    - 优越的线性度性能
    - 高可靠性封装
    市场竞争力:
    - PD57030-E 在基站应用中表现出卓越的性能,是替代现有技术的高效选择。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景:
    - PD57030-E 特别适合用于基站设备,如移动通信基站和无线网络设备。

    使用建议:
    - 设备安装时应遵循ST官网提供的安装指南(例如,查找应用笔记AN1294)以确保最佳性能。
    - 使用过程中要特别注意电源电压和频率匹配,避免超负荷运行,从而延长设备寿命。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - PD57030-E 可以与多种其他射频组件兼容,实现系统的扩展和优化。

    厂商支持:
    - ST公司提供全面的技术支持和服务,包括详细的安装指南和定期的产品更新。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 过热导致性能下降:
    - 解决方案: 确保散热良好,如使用适当的散热器和冷却系统。
    2. 频率响应不理想:
    - 解决方案: 检查电源电压是否稳定,检查相关电容和电阻的连接是否正确。

    总结和推荐


    综合评估:
    - PD57030-E RF功率晶体管以其卓越的热稳定性和高性能在工业和商业应用中表现优异。
    - 它是一款非常值得推荐的产品,特别是在需要高功率和高效率的应用环境中。
    推荐:
    - 对于寻求可靠且高效的射频功率解决方案的工程师和设计师,强烈推荐使用PD57030-E。

PD57030-E参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 52.8W
Vds-漏源极击穿电压 65V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 57pF@ 28V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
长*宽*高 7.5mm*9.4mm*3.5mm
安装方式 底座安装
零件状态 在售
包装方式 管装

PD57030-E厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

PD57030-E数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS PD57030-E PD57030-E数据手册

PD57030-E封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 39.6875 ¥ 345.2813
150+ $ 39.37 ¥ 342.519
500+ $ 39.0525 ¥ 339.7568
库存: 350
起订量: 50 增量: 50
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最小起订量为:50
合计: ¥ 17264.06
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