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PD57030S-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 52.8W 20V 1个N沟道 65V 4A 57pF@ 28V SO-10RF 底座安装 7.5mm*9.4mm*3.5mm
供应商型号: AV-E-PD57030S-E
供应商: Avnet
标准整包数: 50
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) PD57030S-E

PD57030S-E概述

    # 高性能RF功率晶体管 PD57030-E 技术概述

    产品简介


    PD57030-E 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能RF功率晶体管,属于LDMOS技术塑料封装家族。它是一款N沟道增强型横向MOSFET晶体管,专为高增益、宽带商业和工业应用设计。PD57030-E 的最大输出功率可达30W,在945 MHz频率下具备14 dB的增益,非常适合基站等应用场景。其独特的PowerSO-10RF封装设计不仅提供了卓越的热稳定性,还兼具优异的射频性能和易于组装的特点。
    应用领域
    - 通信设备:基站、直放站、微波通信设备。
    - 工业应用:测试仪器、放大器模块。
    - 消费类电子产品:便携式无线电设备、无线接入点。

    技术参数


    以下是PD57030-E的主要技术规格:
    | 参数 | 描述 |

    | 工作电压 | 最大65V |
    | 最大漏极电流 | 4A |
    | 最大功耗 | 52.8W @ TC = 70°C |
    | 结温范围 | -65°C 至 +150°C |
    | 增益 | 13-14 dB(945 MHz) |
    | 输出功率 | 30W |
    | 功率效率 | 45%-53% (945 MHz,@ 30W 输出功率) |
    | 输入阻抗 | 0.809 - j0.085 Ω(945 MHz) |
    | 输出阻抗 | 2.46 + j0.492 Ω(945 MHz) |

    产品特点和优势


    PD57030-E凭借其卓越的技术性能和封装设计,具备以下显著优势:
    1. 高可靠性:采用先进的LDMOS技术,确保在恶劣环境中稳定运行。
    2. 高效能:输出功率高达30W,适用于需要高强度射频信号的应用场景。
    3. 新型封装:PowerSO-10RF封装经过专门优化,具有出色的热管理和易安装性。
    4. 线性度:优异的线性性能使其成为理想的基础站解决方案。
    5. 兼容性强:支持广泛的频段,满足多样化的应用需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    PD57030-E广泛应用于各种射频通信设备中,特别是在基站设备和功率放大器中表现突出。以下是一个典型的应用案例:
    - 基站放大器:通过在基站中部署PD57030-E,能够显著提升通信距离和信号质量,同时减少设备损耗。
    使用建议
    - 匹配网络设计:为达到最佳性能,需精心设计输入和输出匹配电路。
    - 散热管理:合理布局和使用散热片,以避免过热现象。
    - 电源供应:确保稳定的电源供应,特别是在高频操作时。

    兼容性和支持


    PD57030-E与大多数标准射频设备兼容,可轻松集成到现有系统中。意法半导体提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记和样片请求,便于用户快速开发和验证设计方案。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方法:
    1. 问题:增益不稳定
    - 解决方案:检查匹配网络的设计,确保符合规定的阻抗值。
    2. 问题:过热保护启动
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或降低工作负载。
    3. 问题:输出功率不足
    - 解决方案:重新校准电源电压,确保供电稳定。

    总结和推荐


    综上所述,PD57030-E是一款高性能的RF功率晶体管,以其高增益、优良的线性度和可靠性成为通信领域的重要选择。对于需要高输出功率和卓越射频性能的应用场景,PD57030-E是不二之选。强烈推荐给希望提升设备性能的工程师和技术人员。

PD57030S-E参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 52.8W
Vds-漏源极击穿电压 65V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 57pF@ 28V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
配置 独立式
长*宽*高 7.5mm*9.4mm*3.5mm
通用封装 SO-10RF
安装方式 底座安装
零件状态 停产
包装方式 管装

PD57030S-E厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

PD57030S-E数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS PD57030S-E PD57030S-E数据手册

PD57030S-E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 39.6875 ¥ 345.2813
150+ $ 39.37 ¥ 342.519
500+ $ 39.0525 ¥ 339.7568
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