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PD55025S-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 79W 20V 1个N沟道 40V 7A 86pF@ 12.5V 底座安装 7.5mm*9.4mm*3.5mm
供应商型号: L-PD55025S-E
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) PD55025S-E

PD55025S-E概述


    产品简介


    PD55025-E 和 PD55025S-E 是 ST(意法半导体)公司生产的一款用于高频应用的电子元器件。这些器件属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术的射频功率晶体管,采用塑料封装,适用于商业和工业领域的高增益宽带应用。

    技术参数


    主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压(V(BR)DSS):40 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏极电流(ID):7 A
    - 功耗(PDISS):79 W(在70°C时)
    - 最大工作结温(TJ):165°C
    - 存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
    - 热阻数据:
    - 结至外壳热阻(RthJC):1.2°C/W
    静态电气特性:
    - 漏源导通电阻(VDS(ON)):在 VGS=10 V 时,漏极电流为 3 A 时,漏源导通电压为 0.7 V 至 0.8 V
    - 增益(GFS):在 VDS=10 V,漏极电流为 3 A 时,约为 2.5 mho
    - 输入电容(CISS):在 VGS=0 V,漏源电压为 12.5 V,频率为 1 MHz 时,约为 86 pF
    - 输出电容(COSS):在 VGS=0 V,漏源电压为 12.5 V,频率为 1 MHz 时,约为 76 pF
    - 反馈电容(CRSS):在 VGS=0 V,漏源电压为 12.5 V,频率为 1 MHz 时,约为 5.8 pF
    动态电气特性:
    - 输出功率(POUT):在 VDD=12.5 V,IDQ=200 mA,频率为 500 MHz 时,输出功率可达 25 W
    - 增益(GP):在 VDD=12.5 V,IDQ=200 mA,POUT=25 W,频率为 500 MHz 时,增益为 14.5 dB
    - 高负载失配情况下的增益(hD):在 VDD=15.5 V,IDQ=200 mA,POUT=25 W,频率为 500 MHz 时,所有相位角的驻波比为 20:1

    产品特点和优势


    - 卓越的热稳定性:能够在广泛的温度范围内稳定工作。
    - 新 RF 塑料封装:首次推出符合 JEDEC 标准的高功率表面贴装封装,具有出色的 RF 性能和易安装的特点。
    - 高可靠性:采用最新的 LDMOS 技术,具备优良的增益、线性和可靠性。
    - 广泛的应用:适用于汽车移动无线电系统,可满足各种商业和工业应用的需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 汽车移动无线电系统:适用于需要高可靠性和良好线性的车载通信设备。
    - 商业和工业无线通信设备:适用于各种需要高增益、宽带通信的应用场景。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑散热管理,确保良好的热稳定性。
    - 根据不同的频率需求,选择合适的电源电压和偏置电流配置。
    - 使用合适的匹配网络,以获得最佳的输出功率和增益。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品具有广泛的兼容性,能够与多种电路设计和设备兼容,尤其是在高功率 RF 应用中。
    支持和服务:
    - ST 提供详细的安装指南和技术支持,包括相关应用笔记,例如 AN1294,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 过热保护:在长时间高功率操作下,可能会出现过热问题。
    2. 输入回波损耗高:可能导致信号失真。
    解决方案:
    1. 散热管理:确保良好的散热措施,如使用适当的散热片或风扇,以防止过热。
    2. 优化匹配网络:调整匹配网络,确保输入回波损耗尽可能低,减少信号失真。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 卓越的热稳定性和可靠性
    - 新型 RF 塑料封装,便于安装和使用
    - 适用于高增益、宽带应用,特别是汽车移动无线电系统
    - 缺点:
    - 在某些极端环境下可能需要额外的散热措施
    推荐:
    - 推荐使用:PD55025-E 和 PD55025S-E 是一款性能优越的射频功率晶体管,适合需要高可靠性和良好线性的应用场合。尽管价格可能较高,但其出色的性能和广泛应用使其成为市场上极具竞争力的产品。

PD55025S-E参数

参数
通道数量 -
配置 独立式
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 86pF@ 12.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 79W
Vds-漏源极击穿电压 40V
长*宽*高 7.5mm*9.4mm*3.5mm
安装方式 底座安装
零件状态 在售
包装方式 管装

PD55025S-E厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

PD55025S-E数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS PD55025S-E PD55025S-E数据手册

PD55025S-E封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 175.4325
500+ ¥ 172.3815
3000+ ¥ 169.3305
5000+ ¥ 164.754
库存: 1660
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
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