处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF830

IRF830

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 100W(Tc) 20V 4V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 500V 1.5Ω@ 2.7A,10V 610pF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: 497-2732-5-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) IRF830

IRF830概述

    IRF830 N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF830 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高电流、高速开关场合。它采用了 PowerMESH™ 技术,能够在保证低导通电阻(RDS(on))的同时提供出色的电流承载能力。该器件主要用于电源转换应用,例如开关模式电源(SMPS)、焊接设备中的直流-交流转换器以及电机驱动器等。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压(VDS):500V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 最大栅极-源极电压(VDGR):500V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(ID):在25°C时为4.5A,在100°C时为2.9A
    - 脉冲漏极电流(IDM):18A(脉宽受限于安全操作区)
    - 功率参数
    - 最大耗散功率(Ptot):100W(在25°C时),每摄氏度降额0.8W
    - 最大结温(Tj):150°C
    - 其他参数
    - 开关时间(td(on)、tr):11.5ns 和 8ns
    - 反向恢复时间(trr):435ns
    - 静态导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V、ID=2.7A时为1.35Ω
    - 输入电容(Ciss):610pF
    - 输出电容(Coss):120pF
    - 反向传输电容(Crss):10pF

    产品特点和优势


    IRF830 的主要优势在于其高 dv/dt 承载能力和非常低的内在电容。它具有出色的开关性能,非常适合需要高频、高效工作的电源系统。此外,100% 的雪崩测试确保了其在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    IRF830 广泛应用于焊接设备、不间断电源系统(UPS)和电机驱动器等领域。在使用过程中,需要注意以下几点:
    - 散热管理:由于最大耗散功率较高,需要良好的散热设计以避免热失效。
    - 保护电路:在高压应用中,应增加过压保护和过流保护电路。
    - 测试电路:参考技术手册中的测试电路图(图3、图5)进行正确测试。

    兼容性和支持


    IRF830 采用标准 TO-220 封装,易于安装且与市面上大多数 PCB 相兼容。厂商通常提供详尽的技术支持文档,包括设计指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下运行时,器件温度异常升高。
    - 解决办法:增加散热片或风扇以增强散热效果。
    - 问题:启动时出现异常噪声。
    - 解决办法:检查门极电阻(RG)值,适当调整以减少噪声。
    - 问题:出现短路现象。
    - 解决办法:增加外部保护电路如快速熔断器。

    总结和推荐


    IRF830 N-Channel Power MOSFET 是一款性能卓越的器件,适用于多种高要求的应用场景。其出色的开关特性和可靠的工作特性使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要高效率、高电流的应用,强烈推荐使用 IRF830。但请注意,由于其为“过时产品”,建议关注后续是否有更先进的替代品推出。

IRF830参数

参数
栅极电荷 30nC@ 10 V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
最大功率耗散 100W(Tc)
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 610pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 2.7A,10V
10.4mm(Max)
4.6mm(Max)
9.15mm(Max)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF830厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

IRF830数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS IRF830 IRF830数据手册

IRF830封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504